產品
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C3M0045065J1碳化硅MOSFET2022-05-21 16:32
產品型號：C3M0045065J1 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：限制：132A 功耗：C:147W 工作結溫和存儲溫度：-40 to +150?C -
PC3M0045065L碳化硅MOSFET2022-05-21 16:29
產品型號：PC3M0045065L 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：132A 功耗：C:147W 工作結溫和存儲溫度：-40 to +150?C -
C3M0025065K碳化硅MOSFET2022-05-21 16:01
產品型號：C3M0025065K 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：251A 功耗：326W 工作結溫和存儲溫度：-40 to +175?C -
C3M0015065K碳化硅MOSFET2022-05-21 11:41
產品型號：C3M0015065K 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流，脈沖寬：418A 功耗，TC=25?C：416W 工作結溫和存儲溫度：-40 to +175?C -
C3M0015065D碳化硅MOSFET2022-05-21 11:12
產品型號：C3M0015065D 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流，脈沖寬：418A 功耗，TC=25?C：416W 工作結溫和存儲溫度：40 to +175?C -
CG2H40025F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-20 11:44
產品型號：CG2H40025F-AMP 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 17 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 15 dB 小信號增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CG2H40025P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-20 11:42
產品型號：CG2H40025P 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 17 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 15 dB 小信號增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CG2H40025F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-20 11:40
產品型號：CG2H40025F 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 17 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 15 dB 小信號增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CG2H30070F-AMP2高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-20 11:16
產品型號：CG2H30070F-AMP2 應用電路：0.5 – 3.0 GHz 應用電路 功率：28 V 時 POUT 典型值為 85 W 增益：10分貝功率增益 排水效率：58% 排水效率 -
CG2H30070F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-20 11:13
產品型號：CG2H30070F 應用電路：0.5 – 3.0 GHz 應用電路 功率：28 V 時 POUT 典型值為 85 W 增益：10分貝功率增益 排水效率：58% 排水效率 匹配：內部匹配