CG2H30070F-AMP2高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

Cree 晶體管

型號： CG2H30070F-AMP2

--- 產品參數 ---

應用電路 0.5 – 3.0 GHz 應用電路
功率 28 V 時 POUT 典型值為 85 W
增益 10分貝功率增益
排水效率 58% 排水效率

--- 產品詳情 ---

CG2H30070F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配，可在 0.5-3.0 GHz 范圍內提供最佳的瞬時寬帶性能。GaN與硅或砷化鎵相比具有優越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該器件采用 2 引線金屬/陶瓷法蘭封裝，可實現最佳電氣和熱性能。

特征
0.5 – 3.0 GHz 應用電路
28 V 時 POUT 典型值為 85 W
10分貝功率增益
58% 排水效率
內部匹配

應用
寬帶放大器
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雷達
數據鏈接

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