立年電子科技產(chǎn)品

• C3M0032120J1碳化硅MOSFET2022-05-23 21:57

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0032120J1 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：120A 功耗：277W

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• C2M0025120D碳化硅MOSFET2022-05-23 21:51

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C2M0025120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：200A 功耗：378W

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• C3M0021120K碳化硅MOSFET2022-05-23 21:43

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0021120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：200A 功耗：469W

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• C3M0021120D碳化硅MOSFET2022-05-23 21:30

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0021120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：200A 功耗：469W

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• C3M0016120K碳化硅MOSFET2022-05-23 21:24

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0016120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：250A 功耗：556W

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• C3M0016120D碳化硅MOSFET2022-05-23 21:15

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0016120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：250A 功耗：556W

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• C3M0120100K碳化硅MOSFET2022-05-23 21:05

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0120100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 功耗：83W

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• C3M0120100J碳化硅MOSFET2022-05-23 20:57

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0120100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 單脈沖：83W

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• C3M0065100K碳化硅MOSFET2022-05-23 18:20

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0065100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：90A 雪崩能量，單脈沖：110W

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• CG2H40035F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板2022-05-23 14:45

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40035F-AMP 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64% 增益：3.5 GHz 時(shí) 14 dB 小信號(hào)增益 電壓：28 伏操作

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