C3M0015065D碳化硅MOSFET

Wolfspeed 碳化硅MOSFET

型號： C3M0015065D

--- 產品參數 ---

漏源電壓 650V
柵極 - 源極電壓 -8/+19V
脈沖漏極電流，脈沖寬 418A
功耗，TC=25?C 416W
工作結溫和存儲溫度 40 to +175?C
焊接溫度，距離外殼 260?C

--- 產品詳情 ---

C3M0015065D碳化硅MOSFET業界最低的通態電阻和開關損耗，可實現最高效率和功率密度，通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術的領先地位；啟用更小；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車充電系統；儲能系統；不間斷電源；和電池管理系統。

好處

更高的系統效率

降低冷卻要求

提高功率密度

提高系統開關頻率

易于并聯且易于驅動

啟用新的硬開關 PFC 拓撲（圖騰柱）

特征

第三代 SiC MOSFET 技術

高阻斷電壓和低導通電阻

低電容的高速開關

具有低反向的快速本征二極管

應用

電動汽車充電

太陽能光伏逆變器

UPS

開關電源

DC/DC 轉換器

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