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• CG2H40035F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-23 14:42

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40035F 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64% 增益：3.5 GHz 時(shí) 14 dB 小信號(hào)增益 電壓：28 伏操作

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• CG2H40035P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-23 14:36

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40035P 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64% 增益：3.5 GHz 時(shí) 14 dB 小信號(hào)增益 電壓：28 伏操作

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• C3M0065100J碳化硅MOSFET2022-05-22 22:19

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0065100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：90A 雪崩能量，單脈沖：110mJ

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• C3M0280090J碳化硅MOSFET2022-05-22 21:45

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0280090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：22A 功耗：49W

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• C3M0120090D碳化硅MOSFET2022-05-22 21:36

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0120090D 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 功耗：97W

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• C3M0120090J碳化硅MOSFET2022-05-22 21:24

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0120090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 功耗：83W

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• E3M0120090J碳化硅MOSFET2022-05-22 10:54

  

  產(chǎn)品型號(hào)：E3M0120090J 漏源電壓:：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 功耗：83W

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• C3M0065090J碳化硅MOSFET2022-05-22 10:42

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0065090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：90A 雪崩能量，單脈沖：110mJ

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• C3M0065090D碳化硅MOSFET2022-05-22 10:28

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0065090D 漏源電壓：900V 柵極 源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：22A 功耗：45W

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• C3M0030090K碳化硅MOSFET2022-05-22 10:16

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0030090K 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓靜動(dòng)：-8/+19V 脈沖漏極電流：200A 功耗：240W

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