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IRGIB10B60KD1P

制造商：Infineon

描述：IR的IGBT管（全塑封）IRGIB10B60KD1P

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數

Function

  • 額定電流
    16 A
  • 額定電壓
    600 V
  • 集電極電流
    16 A
  • 集電極發射極飽和電壓
    2.1 V
  • 集電極-發射極電壓
    600 V
  • 集電極-發射極擊穿電壓
    600 V
  • 配置
    Single
  • 柵極電荷
    41 nC
  • 晶體管類型
    NPT
  • 技術
    IGBT Gen 5
  • 反向恢復時間
    79 ns
  • 功率耗散
    44 W
  • 上升時間
    24 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 175 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數量
    50
  • 制造商封裝
    TO-220F-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes
庫存量：0
預計交期：
數量
單價
總價(階梯最低數量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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