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HGTG5N120BND

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT NPT 1200V 21A TO247-3

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數

Function

  • 額定電流
    21 A
  • 額定電壓
    1.2 V, 1.2 kV
  • 集電極電流
    21 A
  • 集電極發射極飽和電壓
    2.45 V
  • 集電極-發射極電壓
    1.2 kV
  • 集電極-發射極擊穿電壓
    1200 V
  • 配置
    Single
  • 類型
    NPT
  • 柵極電荷
    53 nC
  • 晶體管類型
    NPT
  • 反向恢復時間
    65 ns
  • 功率耗散
    167 W
  • 擊穿電壓
    600 V

Physical

  • 重量
    0.225401 oz
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數量
    30
  • 制造商封裝
    TO-247-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC
庫存量：0
預計交期：
數量
單價
總價(階梯最低數量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料