英飛凌工業半導體文章

• 感應加熱原理與IGBT應用拓撲分析（上）2023-12-09 08:14

  

  經常遇到很多同事和朋友問：為什么電磁爐和電飯煲要用到IGBT，這種應用的IGBT需要有什么特點？今天我們就給大家詳細解釋感應加熱的原理和感應加熱的拓撲分析。在理解電磁感應加熱的原理之前，先問自己一個問題，假如這個世界上沒有電磁爐，你要燒開一鍋水，會怎么做？最常見的方式，就是點燃爐灶，把鍋架在火上。圖1.傳統燃氣加熱然而這種方法是間接的加熱方式，先由熱源加熱鍋

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• 英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產品組合，助力實現更高效率和功率密度2023-12-02 08:14

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封裝的半橋模塊。該封裝使SiCMOSFET能夠應用于250kW以上的中等功率等級應用，而傳統IGBT硅技術在這一功率等級應

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• 英飛凌EiceDRIVER™技術以及應對SiC MOSFET驅動的挑戰2023-12-01 08:14

  

  碳化硅MOSFET導通損耗低，開關速度快，dv/dt高，短路時間小，對驅動電壓的選擇、驅動參數配置及短路響應時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業功率事業部產品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC英飛凌工業功率技術大會上，發表了《英飛凌EiceDRIVER技術以及應對SiCMOSFET驅動的挑戰》的演講，詳細剖析了SiCMOSFET對驅動芯片的需求，以及我們

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• 增強型M1H CoolSiC MOSFET的技術解析及可靠性考量2023-11-28 08:13

  

  碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題，英飛凌作為業界為數不多的采用溝槽柵做SiCMOSFET的企業，如何使用創新的非對稱溝槽柵既解決柵極氧化層的可靠性問題、又提高了SiCMOSFET的性能?增強型M1HCoolSiC芯片又“強“在哪里？英飛凌零碳工業功率事業部高級工程師趙佳女士，在2023英

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• 英飛凌推出面向高能效電源應用的分立式650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品2023-11-21 08:14

  

  英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產品陣容。全新器件配新一代發射極控制的EC7續流二極管，以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOPIGBT7H7采用最新型微溝槽柵技術，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導體器件適合用于各種應用，如組串式逆變器

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• 英領綠色能源｜產學聯動，探討實現“雙碳”更優解2023-11-19 08:13

  

  作為全球功率半導體的市場領導者英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌11月21日第一期上線現在開約！雙碳，一個持續熱門的話題，可謂宏大而復雜。為了理清該領域的最新發展邏輯，從產業宏觀和底層科技綜合視角來探討實現“雙碳”目標的更快路徑，2023年尾聲，英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌直播活動，結合產業熱點，打造業界獨家欄目！在這檔欄目中，通過研究“雙

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• 產學聯動，探討實現“雙碳”更優解2023-11-17 08:14

  

  作為全球功率半導體的市場領導者英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌11月21日（下周二）第一期上線現在開約！雙碳，一個持續熱門的話題，可謂宏大而復雜。為了理清該領域的最新發展邏輯，從產業宏觀和底層科技綜合視角來探討實現“雙碳”目標的更快路徑，2023年尾聲，英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌直播活動，結合產業熱點，打造業界獨家欄目！在這檔欄目中，通

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• 碳化硅 MOSFET 給電力電子系統帶來哪些創新設計2023-11-17 08:14

  

  我們常說，一代電力電子器件決定一代系統設計。那么，基于寬禁帶半導體材料的SiCMOSFET的出現，將給電力電子系統設計帶來哪些顛覆性的改變？英飛凌零碳工業功率事業部技術總監沈嵩先生，在2023英飛凌工業功率技術大會（IPAC）上，發表了《CoolSiCMOSFET賦能電力電子系統的創新設計》的演講，點擊視頻可觀看回放。點擊上方視頻即可進行觀看對于不方便看視頻

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• 一步步糾正關于SiC MOSFET短路認知誤區2023-11-06 08:14

  

  本期是和ChatGPT辯論的第五回合，英飛凌趙工出場了（第四回合回顧）。趙工內心OS：往期雖然ChatGPT有時表現得可圈可點，但有時也不知所云。都說人工智能模型需要訓練，它會自我學習迭代。不如今天來刻意訓練一下ChatGPT，或許就能獲得一只精通功率器件的AI，將來就能替我回復客戶問題？Q為什么SiCMOSFET的短路時間通常比IGBT短？SiCMOSFE

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• 英飛凌科技TRENSTOP™ IGBT7 1200V系列榮膺2023年Aspencore電子成就獎2023-11-04 08:14

  

  11月2日，英飛凌科技的TRENSTOPIGBT71200V系列憑借其卓越的性能和廣泛的應用領域，榮獲2023年Aspencore電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能被動/分立器件”（HighPerformancepassive/DiscreteDevicesoftheYear!）獎項，再次展

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