英飛凌工業半導體文章

• 管腳兼容的驅動集成電路在哪里？2024-04-15 08:14

  

  功率半導體IGBT、MOSFET以及SiC、GaN等都離不開驅動集成電路，以實現驅動、保護和隔離……電力電子技術在發展，功率器件對驅動的要求越來越高，這推動著驅動技術和產品的發展。例如：英飛凌DSO-8寬體封裝工業級的產品，最大規格做到了18A2300V；在英飛凌驅動系列產品中，還有一些嶄新的技術，譬如數字化可編程的芯片和壓擺率控制SRC的驅動器，提高了驅動

  MOSFET 集成電路 驅動 768瀏覽量

• 英飛凌與現代重工韓國造船與海洋工程有限公司聯合開發船舶電氣化技術2024-04-12 08:14

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）與現代重工韓國造船與海洋工程有限公司（HDKSOE）簽署諒解備忘錄（MoU），這是雙方為了低碳節能，利用功率半導體技術聯合開發新興船用發動機和機械電氣化的第一步。HDKSOE的LH2運輸艦概念設計HDKSOE是船舶制造領域的先驅和全球領導者，致力于開發使用電力和氫能的環保低碳船舶技術。其將與

  半導體 電氣化 英飛凌 903瀏覽量

• MPPT常用拓撲原理與英飛凌實現方法2024-03-29 08:13

  

  MPPT（MaximumPowerPointTracking）是光伏逆變器系統實現最大程度利用太陽能的關鍵部分，不同的MPPT拓撲有各自的特點。本文將對比常見的三種MPPT電路，并對雙boost(DualBoost)的開關模式限制做了原理性分析，直觀解釋了DualBoost在MPPT中無法交錯開關。針對不同的電壓與電流等級，本文提供了英飛凌針對各種拓撲的參考

  MPPT 光伏逆變器 英飛凌 6246瀏覽量

• 英飛凌推出新型固態隔離器，切換速度更快，功耗降低高達70%2024-03-27 08:13

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）在美國國際電力電子應用展覽會（APEC）上推出全新固態隔離器產品系列。該系列可實現更快速、可靠的電路交換，并擁有廣電固態所不具備的保護功能。這些隔離器采用無磁芯變壓器技術，支持高20倍的能量傳輸的同時，還具備了電流和溫度保護功能，實現更高的可靠性和更低的成本。這款方案，與目前使用的傳統的固態

  MOS 英飛凌 隔離器 949瀏覽量

• 英飛凌1700V EconoDUAL™3 IGBT新產品及其在中高壓級聯變頻器和靜止無功發生器中的仿真研究2024-03-26 08:13

  

  本文提及的相關產品，均會在直播中出現掃描上方二維碼即可報名摘要：EconoDUAL3是一款經典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產品已經廣泛應用于級聯型中高壓變頻器、靜止無功發生器（SVG）和風電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應用場合。隨著芯片技術的發展和市場對高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經基于最新的1700VIGBT7技術開發

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• 英飛凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影響系統可靠性的情況下提供更高功率密度2024-03-20 08:13

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。CoolSiCMOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上

  MOSFET 英飛凌 逆變器 1164瀏覽量

• IGBT并聯應用均流控制技術綜述2024-03-15 08:13

  

  Zhang Gang

  IGBT 變流器 晶體管 電流 4668瀏覽量

• 160V半橋SOI半橋驅動器驅動100V MOSFET評估套件2024-03-13 08:13

  

  新品帶iMOTIONMADK的160V半橋SOI半橋驅動器驅動100VMOSFET評估套件用于電池供電應用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM1評估套件包括一塊三相逆變器功率板，該功率板帶有額定電壓為160V的2ED2748S01G（3x310引腳DFN封裝）半橋柵極驅動器，可驅動12個額定電壓為100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N

  MOSFET SOI 半橋驅動器 英飛凌 1832瀏覽量

• 英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC™ MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統2024-03-12 08:13

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的CoolSiCMOSFET650V和1200VGeneration2技術在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效

  MOSFET 碳化硅 英飛凌 1242瀏覽量

• 如何測量功率回路中的雜散電感2024-03-07 08:13

  

  本文支持快捷轉載影響IGBT和SiCMOSFET在系統中的動態特性有兩個非常重要的參數：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。功率電路寄生電感在哪里？圖1給出了半橋電路中不同位置寄生電感示意圖，主要包括三類：連接母排及功率回路中的寄生電感，IGBT模塊內部寄生

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