立年電子科技產品

• CG2H80060D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-25 09:33

  

  產品型號：CG2H80060D-GP4 PSAT功率：60 W 典型 PSAT 操作電壓：28 伏操作 電壓：高擊穿電壓 環境：高溫操作 頻率：高達 8 GHz 的操作

  立即咨詢

• C3M0160120J碳化硅MOSFET2022-05-24 22:35

  

  產品型號：C3M0160120J 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態：-8/+19V 柵極-源極電壓靜態：-4/+15V 脈沖漏極電流：34A 功耗：90W

  立即咨詢

• C2M0080120D碳化硅MOSFET2022-05-24 22:27

  

  產品型號：C2M0080120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓：-10/+25V 脈沖漏極電流：80A 功耗：192W 工作結溫和存儲溫度：-55to +150?C

  立即咨詢

• C3M0075120K碳化硅MOSFET2022-05-24 22:20

  

  產品型號：C3M0075120K 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態：-8/+19 柵極-源極電壓靜態：-4/+15 脈沖漏極電流：80A 功耗：136W

  立即咨詢

• C3M0075120J碳化硅MOSFET2022-05-24 22:14

  

  產品型號：C3M0075120J 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態：-8/+19 柵極-源極電壓靜態：-4/+15 脈沖漏極電流：80A 功耗：113.6W

  立即咨詢

• C3M0075120D碳化硅MOSFET2022-05-24 22:08

  

  產品型號：C3M0075120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態：-8/+19 柵極-源極電壓靜態：-4/+15 脈沖漏極電流：80A 功耗：136W

  立即咨詢

• E3M0075120D碳化硅MOSFET2022-05-24 21:59

  

  產品型號：E3M0075120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：80A 功耗：145W 工作結溫和存儲溫度：-55to +175?C

  立即咨詢

• E3M0075120K碳化硅MOSFET2022-05-24 21:52

  

  產品型號：E3M0075120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：80A 功耗：145W 工作結溫和存儲溫度：-55to +175?C

  立即咨詢

• C3M0075120K-A碳化硅MOSFET2022-05-24 21:43

  

  產品型號：C3M0075120K-A 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V 柵極 -源極電壓靜態：4/+15V 脈沖漏極電流：80A 功耗：136W

  立即咨詢

• C3M0075120D-A碳化硅MOSFET2022-05-24 21:35

  

  產品型號：C3M0075120D-A 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V 柵極 -源極電壓靜態：4/+15V 脈沖漏極電流：80A 功耗：136W

  立即咨詢