產品
-
CGH40090PP-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-10 14:40
產品型號：CGH40090PP-AMP 頻率：高達 2.5 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 PSAT功率：100 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 55% 電壓：28 伏操作 -
CGH40090PP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-10 14:38
產品型號：CGH40090PP 頻率：高達 2.5 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 增益：100 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 55% 電壓：28 伏操作 -
CAB016M12FM3碳化硅功率模塊2022-06-09 21:05
產品型號：CAB016M12FM3 阻斷電壓：1200V 包裹：調頻3 配置：半橋 電阻：16μJ 模塊尺寸：62.8 毫米 x 33.8 毫米 -
CCB021M12FM3碳化硅功率模塊2022-06-09 21:00
產品型號：CCB021M12FM3 阻斷電壓：1200V 包裹：調頻3 配置：六包（三相） 電阻：21μJ 最高結溫：150°C -
CCB032M12FM3碳化硅功率模塊2022-06-09 20:54
產品型號：CCB032M12FM3 阻斷電壓：1200V 包裹：調頻3 配置：六包（三相） 電阻：32μJ 最高結溫：150°C -
CAB006M12GM3碳化硅功率模塊2022-06-09 20:49
產品型號：CAB006M12GM3 阻斷電壓：1200V 包裹：GM3 配置：半橋 電阻：6μJ 模塊尺寸：62.8 毫米 x 56.7 毫米 -
CAB006A12GM3碳化硅功率模塊2022-06-09 20:45
產品型號：CAB006A12GM3 阻斷電壓：1200V 包裹：GM3 配置：半橋（AlN 基板 電阻：6μJ 模塊尺寸：62.8 毫米 x 56.7 毫米 -
CAB008A12GM3碳化硅功率模塊2022-06-09 20:41
產品型號：CAB008A12GM3 阻斷電壓：1200V 包裹：GM3 配置：半橋（AlN 基板） 電阻：8μJ 模塊尺寸：62.8 毫米 x 56.7 毫米 -
CAB008M12GM3碳化硅功率模塊2022-06-09 20:35
產品型號：CAB008M12GM3 阻斷電壓：1200V 包裹：GM3 配置：半橋 電阻：8μJ 模塊尺寸：62.8 毫米 x 56.7 毫米 -
CAB760M12HM3R碳化硅功率模塊2022-06-09 20:24
產品型號：CAB760M12HM3R 阻斷電壓：1200V 包裹：HM 高性能 62 毫米 配置：用于并聯的半橋右 GK 最大脈沖正向電流：1300V 電阻：1.33μJ