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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • CAB760M12HM3碳化硅功率模塊2022-06-09 20:20

    產(chǎn)品型號:CAB760M12HM3 阻斷電壓:1200V 包裹:HM 高性能 62 毫米 配置:用于并聯(lián)的半橋右 GK 最大脈沖正向電流:1300V 電阻:1.33μJ
  • CAB650M17HM3碳化硅功率模塊2022-06-09 20:15

    產(chǎn)品型號:CAB650M17HM3 阻斷電壓:1200V 包裹:HM 高性能 62 毫米 配置:半橋 最大脈沖正向電流:1300V 電阻:1.67μJ
  • CAR600M12HN6碳化硅功率模塊2022-06-09 20:08

    產(chǎn)品型號:CAR600M12HN6 阻斷電壓:1200V 包裹:HM 高性能 62 毫米 配置:半橋整流器 最大脈沖正向電流:1200V 模塊尺寸:110 毫米x65毫米x12.2毫米
  • CAR600M17HN6碳化硅功率模塊2022-06-09 20:03

    產(chǎn)品型號:CAR600M17HN6 阻斷電壓:1700V 包裹:HM 高性能 62 毫米 配置:半橋整流器 最大脈沖正向電流:1200V 模塊尺寸:110 毫米x65毫米x12.2毫米
  • CAB500M17HM3碳化硅功率模塊2022-06-09 19:57

    產(chǎn)品型號:CAB500M17HM3 阻斷電壓:1700V 包裹:HM 高性能 62 毫米 配置:半橋 電阻:2.5μJ 模塊尺寸:110 毫米x65毫米x12.2毫米
  • CAS480M12HM3碳化硅功率模塊2022-06-09 19:52

    產(chǎn)品型號:CAS480M12HM3 阻斷電壓:1700V 包裹:HM 高性能 62 毫米 配置:半橋 電阻:2.29μJ 模塊尺寸:110 毫米x65毫米x12.2毫米
  • CAS380M17HM3碳化硅功率模塊2022-06-09 19:45

    產(chǎn)品型號:CAS380M17HM3 阻斷電壓:1700V 包裹:HM 高性能 62 毫米 配置:半橋 電阻:3.3μJ 模塊尺寸:110毫米x65毫米x12.2 毫米
  • EAB450M12XM3碳化硅功率模塊2022-06-09 19:32

    產(chǎn)品型號:EAB450M12XM3 阻斷電壓:1200V 包裹:XM3 配置:半橋 電阻:2.6μJ 模塊尺寸:80 x 53 x 19 毫米
  • CGH40045F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-09 11:39

    產(chǎn)品型號:CGH40045F-AMP 頻率:高達(dá) 4 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時(shí) 16 dB 小信號增益 增益:4.0 GHz 時(shí) 12 dB 小信號增益 PSAT功率:55 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 的效率為 55%
  • CGH40045P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-09 11:37

    產(chǎn)品型號:CGH40045P 頻率:高達(dá) 4 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時(shí) 16 dB 小信號增益 增益:4.0 GHz 時(shí) 12 dB 小信號增益 PSAT功率:55 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 的效率為 55%