CAB008M12GM3是HM 電源模塊系列。1200 V 半橋電源模塊占位面積專為超高功率密度而設計。其開發(fā)了 HM 功率模塊平臺，以在功率密度敏感的應用中提供碳化硅 (SiC) 的優(yōu)勢；同時保持 62mm 模塊的底板兼容性。HM 平臺的碳化硅優(yōu)化封裝可實現(xiàn) 175°C 的連續(xù)結操作；具有高可靠性的氮化硅 (Si 3 N 4 ) 功率基板，可確保極端條件下的機械穩(wěn)健性和輕質(zhì) AlSiC 基板。HM3 非常適合要求苛刻的應用，例如工業(yè)測試設備、醫(yī)療電源、航空航天和牽引驅(qū)動。
系統(tǒng)優(yōu)勢
? 重量輕、外形緊湊，帶有 62 毫米兼容底板，可實現(xiàn)系統(tǒng)改造
? 由于 SiC 的低開關和傳導損耗，提高了系統(tǒng)效率
? 高可靠性材料選擇
技術特點
? 低電感、薄型 62mm 占位面積
? 高結溫 (175 °C) 操作
? 實施開關優(yōu)化第三
一代 SiC MOSFET 技術
? 輕質(zhì)AlSiC基板
? 高可靠性氮化硅絕緣體
應用
? 鐵路和牽引
? 太陽的
? 電動汽車充電器
? 工業(yè)自動化與測試
阻斷電壓:1200V
包裹：GM3
配置：半橋
電阻：8μJ
模塊尺寸：62.8 毫米 x 56.7 毫米
最高結溫：150°C
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