CAB760M12HM3R是HM 電源模塊系列。1200 V 半橋電源模塊占位面積專為超高功率密度而設計。開發了 HM 功率模塊平臺，以在功率密度敏感的應用中提供碳化硅 (SiC) 的優勢；同時保持 62mm 模塊的底板兼容性。HM 平臺的碳化硅優化封裝可實現 175°C 的連續結操作；具有高可靠性的氮化硅 (Si 3 N 4 ) 功率基板，可確保極端條件下的機械穩健性和輕質 AlSiC 基板。HM3 非常適合要求苛刻的應用，例如工業測試設備、醫療電源、航空航天和牽引驅動。
系統優勢
? 重量輕、外形緊湊，帶有 62 毫米兼容底板，可實現系統改造
? 由于 SiC 的低開關和傳導損耗，提高了系統效率
? 高可靠性材料選擇
技術特點
? 低電感、薄型 62mm 占位面積
? 高結溫 (175 °C) 操作
? 實施開關優化第三
一代 SiC MOSFET 技術
? 輕質AlSiC基板
? 高可靠性氮化硅絕緣體
應用
? 鐵路和牽引
? 太陽的
? 電動汽車充電器
? 工業自動化與測試
阻斷電壓:1200V
包裹：HM 高性能 62 毫米
配置：用于并聯的半橋右 GK
最大脈沖正向電流：1300V
電阻：1.33μJ
模塊尺寸：110 毫米x65毫米x12.2毫米
最高結溫：175°C
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