深圳市首質誠科技有限公司文章

• 選型手冊：VS3610AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-12-04 09:22

  

  威兆半導體推出的VS3610AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

  MOS 威兆半導體 晶體管 378瀏覽量

• VS3615GE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-12-03 09:53

  

  威兆半導體推出的VS3615GE是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技術實現低導通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS

  MOS MOSFET 威兆半導體 370瀏覽量

• 選型手冊：VS40200AT N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-12-03 09:48

  

  威兆半導體推出的VS40200AT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借超低導通電阻與200A大電流承載能力，適配低壓超大電流DC/DC轉換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供

  MOS MOSFET 威兆半導體 453瀏覽量

• 選型手冊：VS1602GMH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-12-03 09:23

  

  威兆半導體推出的VS1602GMH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-263封裝，憑借1.9mΩ極致低導通電阻與170A大電流承載能力，適用于中壓大電流DC/DC轉換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適

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• 選型手冊：VS4610AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-12-02 09:32

  

  威兆半導體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、快速開關特性與高可靠性，適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：

  MOS 威兆半導體 晶體管 447瀏覽量

• 選型手冊：VSP015N15HS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-12-02 09:29

  

  威兆半導體推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技術實現低導通電阻與高效能，適配中高壓DC/DC轉換器、電源管理、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：150V，適配中高壓供電場景；導通電阻（

  MOS 威兆半導體 晶體管 397瀏覽量

• 選型手冊：VS5814DS 雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-12-02 09:25

  

  威兆半導體推出的VS5814DS是一款面向55V中壓場景的雙通道N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，基于VeriMOS®技術實現低導通電阻與高效能，適配中壓雙路電源管理、DC/DC轉換器、同步整流等領域。一、產品基本信息器件類型：雙通道N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：55V，適配中壓雙路供電場景

  MOS 威兆半導體 晶體管 592瀏覽量

• 選型手冊：VSE025N10HS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-12-01 16:36

  

  威兆半導體推出的VSE025N10HS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，具備快速開關特性與高可靠性，適配中壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(

  MOS 仁懋電子 晶體管 336瀏覽量

• 選型手冊：VSE002N03MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-12-01 15:32

  

  威兆半導體推出的VSE002N03MS-G是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技術實現極致低導通電阻，適配低壓大電流DC/DC轉換器、同步整流、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（

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• 選型手冊：VS4620GP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-12-01 15:07

  

  威兆半導體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技術實現低導通電阻與高可靠性，適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(o

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