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深圳市首質誠科技有限公司

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深圳市首質誠科技有限公司文章

  • 選型手冊:VS4401ATH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-12-01 11:10

    威兆半導體推出的VS4401ATH是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封裝,憑借1.4mΩ極致低導通電阻與400A大電流承載能力,適用于低壓大電流DC/DC轉換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):40V
    MOS MOSFET 晶體管 421瀏覽量
  • 選型手冊:VS3620GEMC N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-12-01 11:02

    威兆半導體推出的VS3620GEMC是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于FastMOSII技術實現低導通電阻與高效能,適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{D
    MOS MOSFET 晶體管 369瀏覽量
  • 選型手冊:VS1401ATH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-28 12:14

    選型手冊:VS1401ATHN溝道增強型功率MOSFET晶體管威兆半導體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封裝,憑借1.0mΩ極致低導通電阻與200A大電流承載能力,適用于中壓大電流DC/DC轉換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOS
    MOS MOSFET 晶體管 1310瀏覽量
  • 選型手冊:VS8402ATH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-28 12:10

    威兆半導體推出的VS8402ATH是一款面向80V中壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,憑借超低導通電阻與160A大電流承載能力,適用于中壓DC/DC轉換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):80V,適配中壓供電場景;導通
    MOS MOSFET 晶體管 399瀏覽量
  • 選型手冊:VS3618BE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-28 12:07

    威兆半導體推出的VS3618BE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導通電阻、快速開關特性與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\))
    MOS MOSFET 晶體管 393瀏覽量
  • 選型手冊:VS4620GEMC N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-28 12:03

    威兆半導體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于VeriMOS®II技術實現低導通電阻與高效能,適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):40V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(
  • 選型手冊:VS3510AP P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-28 11:22

    威兆半導體推出的VS3510AP是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,憑借低導通電阻與高電流承載能力,適用于低壓電源管理、負載開關、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型:P溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):-30V,適配低壓負電壓供電場景;導通電阻(\(R_{D
    MOS 仁懋電子 晶體管 329瀏覽量
  • 選型手冊:VS3618AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-27 16:52

    威兆半導體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,憑借低導通電阻、快速開關特性與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_
    MOS MOSFET 晶體管 532瀏覽量
  • 選型手冊:VS3698AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-27 16:41

    威兆半導體推出的VS3698AP是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,基于FastMOSII技術實現低導通電阻與高效能,憑借105A大電流承載能力,適用于低壓大電流DC/DC轉換器、同步整流、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\
  • 選型手冊:VS3633GE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-27 14:53

    威兆半導體推出的VS3633GE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于FastMOSII技術實現快速開關與高能量效率,憑借低導通電阻與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉換器、同步整流、負載開關等中功率領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓供電場景;導
    MOS MOSFET 晶體管 325瀏覽量