深圳市首質誠科技有限公司文章

• 選型手冊：VS4401ATH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-12-01 11:10

  

  威兆半導體推出的VS4401ATH是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借1.4mΩ極致低導通電阻與400A大電流承載能力，適用于低壓大電流DC/DC轉換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V

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• 選型手冊：VS3620GEMC N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-12-01 11:02

  

  威兆半導體推出的VS3620GEMC是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于FastMOSII技術實現低導通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{D

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• 選型手冊：VS1401ATH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-28 12:14

  

  選型手冊：VS1401ATHN溝道增強型功率MOSFET晶體管威兆半導體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借1.0mΩ極致低導通電阻與200A大電流承載能力，適用于中壓大電流DC/DC轉換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOS

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• 選型手冊：VS8402ATH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-28 12:10

  

  威兆半導體推出的VS8402ATH是一款面向80V中壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，憑借超低導通電阻與160A大電流承載能力，適用于中壓DC/DC轉換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：80V，適配中壓供電場景；導通

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• 選型手冊：VS3618BE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-28 12:07

  

  威兆半導體推出的VS3618BE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、快速開關特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）

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• 選型手冊：VS4620GEMC N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-28 12:03

  

  威兆半導體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技術實現低導通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(

  MOS 威兆半導體 晶體管 379瀏覽量

• 選型手冊：VS3510AP P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-28 11:22

  

  威兆半導體推出的VS3510AP是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導通電阻與高電流承載能力，適用于低壓電源管理、負載開關、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型：P溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負電壓供電場景；導通電阻（\(R_{D

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• 選型手冊：VS3618AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-27 16:52

  

  威兆半導體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導通電阻、快速開關特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_

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• 選型手冊：VS3698AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-27 16:41

  

  威兆半導體推出的VS3698AP是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，基于FastMOSII技術實現低導通電阻與高效能，憑借105A大電流承載能力，適用于低壓大電流DC/DC轉換器、同步整流、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\

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• 選型手冊：VS3633GE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-27 14:53

  

  威兆半導體推出的VS3633GE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于FastMOSII技術實現快速開關與高能量效率，憑借低導通電阻與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉換器、同步整流、負載開關等中功率領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導

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