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• 發布了文章 2025-01-02 17:41

  新品 | 3300V，1200A IGBT4 IHV B模塊

  

  3300V,1200AIGBT4IHVB模塊知名的IHVB3.3kV單開關IGBT模塊經過了重大改進，以滿足牽引和工業應用（如中壓傳動或HVDC）當前和未來的要求。其最新推出的產品組合類型是經過優化的IGBT和二極管比率，FZ1200R33HE4D_B9足以取代英飛凌和競爭對手的1500A3.3kV單開關。它采用TRENCHSTOPIGBT4和發射極可控EC

  IGBT 二極管

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• 發布了文章 2024-12-31 17:06

  2024年度盤點：創新賦能，銳意前行

  

  2024年，面對充滿挑戰且不確定的市場環境，英飛凌始終秉持創新驅動技術領先的原則，不斷突破技術與產品性能的邊界，接連推出了多款重量級產品。今日，小編帶你一起盤點2024年的高光時刻。全新2000VCoolSiCMOSFET和二極管，業界首發作為市面上第一款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件，全新推出的CoolSiCMOSFET2000V采用TO-247P

  MOSFET 二極管 英飛凌

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• 發布了文章 2024-12-30 19:33

  2024年度盤點：步履不停，載譽前行

  

  在充滿挑戰和不確定的2024年，英飛凌始終堅守以客戶為中心的核心價值觀，將滿足客戶需求作為企業發展的根本動力。這一年，英飛凌憑借創新的技術實力、可靠的產品質量，專業的客戶支持，以及穩健的運營管理，贏得了客戶的認可與贊譽。今日，小編帶你一起盤點2024年的榮耀時刻。維諦技術：最佳產品質量獎特變電工：金牌戰略合作伙伴獎株洲中車時代電氣:技術協作獎施耐德電氣:最佳

  施耐德電氣 特變電工 英飛凌

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• 發布了文章 2024-12-27 17:07

  新品 | CoolSiC™ MOSFET 3.3 kV XHP™ 2半橋模塊

  

  新品CoolSiCMOSFET3.3kVXHP2半橋模塊XHP2CoolSiCMOSFET3.3kV集成體二極管、XHP2封裝，采用.XT互聯技術。產品型號：■FF2000UXTR33T2M1■FF2600UXTR33T2M1■FF4000UXTR33T2M1產品特點Inom大損耗低高開關頻率體積小.XT連接技術I2t浪涌電流穩健性應用價值能源效率高功率密度

  MOSFET SiC

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• 發布了文章 2024-12-26 17:06

  英飛凌：30年持續領跑碳化硅技術，成為首選的零碳技術創新伙伴

  

  2024年，全球極端天氣頻發，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發展的市場與價格戰的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳

  碳化硅 能源 英飛凌

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• 發布了文章 2024-12-25 17:30

  白皮書導讀 | 電機驅動系統中的寬禁帶開關器件

  

  樣品活動進行中，掃碼了解詳情近年來，電動汽車的興起帶動了寬禁帶器件的應用，并逐漸滲透到各個市場。目前，工業電機主要使用逆變器來提高能效等級，這些逆變器在使用傳統硅MOSFET和IGBT作為功率開關時存在一些限制，如總體損耗較高、開關頻率和功率輸送受限等。隨著第三代半導體的興起，寬禁帶器件的應用使得提高電機的功率密度、功率輸送能力和效率成為可能。《電機驅動系統

  電動汽車 電機 驅動系統

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• 發布了文章 2024-12-23 17:31

  功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數

  

  樣品活動進行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。為什么引入結構函數？在功率器件的熱設計基礎系列文章《功率半導體殼溫和

  函數 功率器件 熱設計

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• 發布了文章 2024-12-20 17:04

  新品 | 750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET

  

  750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅固的SiCMOSFET，具有最佳的系統性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經驗。它在性能、可靠性和堅固性方面都具有優勢，并具有柵極驅動靈活性，從而簡化了系統設計，提高了成本效益，實現了最高的效率和功率

  MOSFET SiC 英飛凌

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• 發布了文章 2024-12-19 19:00

  新品 | 6EDL04x065xT 系列三相柵極驅動器

  

  樣品活動進行中，掃碼了解詳情新品6EDL04x065xT系列三相柵極驅動器650V三相柵極驅動器，帶過電流保護(OCP)、使能(EN)、故障檢測和集成自舉二極管(BSD)產品型號：■6EDL04I065NT■6EDL04I065PT■6EDL04N065PT產品特點英飛凌薄膜-SOI技術最大阻斷電壓+650V輸出源/吸收電流+0.165A/-0.375A集成

  三相柵極驅動器 英飛凌 驅動器

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• 發布了文章 2024-12-18 17:20

  搶先領取！高壓CoolGaN™ GIT HEMT可靠性白皮書推薦

  

  高壓CoolGaNGITHEMT（高電子遷移率晶體管）可靠性和驗證的白皮書共33頁，被翻譯成中文和日文，主要介紹了英飛凌如何實現CoolGaN技術和器件使用壽命，且大幅超過標準的規定，詳細闡述了英飛凌用于驗證CoolGaN器件的四個方面的流程。硅的故障機制清晰，驗證方法非常成熟，但傳統的硅驗證工藝無法直接應用于GaN技術產品，因為GaN器件的材料和結構特性與

  HEMT 晶體管 白皮書 高壓

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