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• 發布了產品 2022-05-23 21:30

  C3M0021120D碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0021120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 21:24

  C3M0016120K碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0016120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 21:15

  C3M0016120D碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0016120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 21:05

  C3M0120100K碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0120100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 20:57

  C3M0120100J碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0120100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 18:20

  C3M0065100K碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0065100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 14:45

  CG2H40035F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產品型號：CG2H40035F-AMP 頻率：高達 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64%

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• 發布了產品 2022-05-23 14:42

  CG2H40035F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：CG2H40035F 頻率：高達 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64%

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• 發布了產品 2022-05-23 14:36

  CG2H40035P高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：CG2H40035P 頻率：高達 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64%

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• 發布了產品 2022-05-22 22:19

  C3M0065100J碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0065100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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