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• 發布了產品 2022-05-24 10:04

  CG2H40120F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產品型號：CG2H40120F-AMP 頻率：高達 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時 20 dB 小信號增益 增益：2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益

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• 發布了產品 2022-05-24 10:01

  CG2H40120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：CG2H40120F 頻率：高達 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時 20 dB 小信號增益 增益：2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益

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• 發布了產品 2022-05-24 09:58

  CG2H40120P高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：CG2H40120P 頻率：高達 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時 20 dB 小信號增益 增益：2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益

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• 發布了產品 2022-05-24 09:23

  CG2H40045F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產品型號：CG2H40045F-AMP 頻率：高達 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益

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• 發布了產品 2022-05-24 09:18

  CG2H40045F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：CG2H40045F 頻率：高達 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益

  521瀏覽量

• 發布了產品 2022-05-24 09:16

  CG2H40045P高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：CG2H40045P 頻率：高達 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益

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• 發布了產品 2022-05-23 22:03

  C3M0032120D是一款功率轉換器

  

  產品型號：C3M0032120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 21:57

  C3M0032120J1碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0032120J1 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 21:51

  C2M0025120D碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C2M0025120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-23 21:43

  C3M0021120K碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0021120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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