動態
-
發布了產品 2022-05-25 21:16
C2M0160120D碳化硅MOSFET
產品型號：C2M0160120D 漏源電壓：1200 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+20969瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 21:08
C3M0160120D碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0160120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態：-8/+19V 柵極-源極電壓動態:：-4/+15V599瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 10:57
CGH27030S-AMP1氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產品型號：CGH27030S-AMP1 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益331瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 10:56
CGH27030S氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CGH27030S 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益244瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 10:54
CGH27030P高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CGH27030P 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益416瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 10:45
CGH25120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CGH25120F 頻率：2.3 – 2.7 GHz 操作 增益：13分貝增益 PAVE功率：20 W PAVE 時 -32 dBc ACLR663瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 10:32
CGH21240F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產品型號：CGH21240F-AMP 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 PAVE功率：40 W PAVE 時 -35 dBc ACLR226瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 10:30
CGH21240F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CGH21240F 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：40 W PAVE 時 -35 dBc ACLR218瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 10:16
CGH21120F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產品型號：CGH21120F-AMP 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE151瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 10:13
CGH21120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CGH21120F 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE232瀏覽量
