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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 15:08

  CGH60008D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH60008D-GP4 8 W 典型 PSA：8 W 典型 PSAT @ 28 V 操作 5 W 典型 PSA：5 W 典型 PSAT @ 20 V 操作 耐壓性：高擊穿電壓

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 14:36

  CGHV1J006D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGHV1J006D-GP4 增益：17分貝典型。10 GHz 時的小信號增益 PAE：60% 典型值。10 GHz 時的 PAE Psat：6 W 典型 Psat

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 14:16

  CGH40006P-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGH40006P-AMP 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 增益：6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 14:14

  CGH40006P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH40006P 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 增益：6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 12:02

  CGH40006S-AMP1高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGH40006S-AMP1 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 增益：6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 11:55

  CGH40006S高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH40006S 頻段：高達(dá) 6 GHz 增益：2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 增益：6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 11:14

  CGHV1F006S-AMP3高電子遷移率晶體管 (HEMT)X波段測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGHV1F006S-AMP3 頻段：高達(dá) 15 GHz 的操作 輸出功率：8 W 典型輸出功率 增益：6.0 GHz 時 17 dB 增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 11:01

  CGHV1F006S-AMP1高電子遷移率晶體管 (HEMT)C波段測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGHV1F006S-AMP1 頻率：高達(dá) 15 GHz 的操作 輸出功率：8 W 典型輸出功率 6.0 GHz增益：17 dB

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 10:42

  CGHV1F006S高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGHV1F006S 頻率：高達(dá) 15 GHz 的操作 輸出功率：8 W 典型輸出功率 6.0 GHz增益：6.0 GHz 時 17 dB 增益;

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 10:06

  CMPA0060002D氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CMPA0060002D 增益：17 dB 小信號增益 工作電壓：2 W 典型 PSAT 工作電壓高達(dá) 28 V 電壓：高擊穿電壓

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