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存內計算芯片研究進展及應用

在NOR Flash存內計算芯片當中，向量-矩陣乘法運算基于電流/電壓的跨導與基爾霍夫定律進行物理實現，如圖7(a)所示。因此，其核心是設計NOR Flash單元陣列以滿足大規模高能效向量-矩陣乘法運算。同時，在核心電路的基礎上，根據算法特征設計芯片架構，以充分利用神經網絡數據流式的特點來實現芯片的并行化與流水線。在傳統NOR Flash陣列中，對某一個特定器件編程會不可避免地改變同一行上其他器件的狀態，稱為行干擾。作為存內計算應用， NOR Flash編程需要逐個器件進行單獨操作，每個器件存儲8 bit(256個量化狀態)以上的信息，微小的干擾就將導致狀態的變化。

發表于05-16 15:30 ? 2882
存算一體架構的優勢及分類

存內計算同樣是將計算和存儲合二為一的技術。它有兩種主要思路。第一種思路是通過電路革新，讓存儲器本身就具有計算能力。

發表于04-09 10:57 ? 2764
不同的存算一體有什么區別？

SRAM是目前唯一一種跟先進CMOS工藝完全兼容且能大規模量產的存儲介質，這也是支持大算力的關鍵所在：從單獨存算一體宏單元的角度，SRAM跟先進工藝的兼容性使其外圍邏輯接口最能滿足當前宏單元高效利用需求。

發表于11-19 10:33 ? 2400
憶阻器存算一體芯片新突破！有望促進人工智能、自動駕駛等領域發展

電子發燒友網報道（文/李彎彎）近日，清華大學集成電路學院教授吳華強、副教授高濱團隊基于存算一體計算范式，研制出全球首顆全系統集成的、支持高效片上學習的憶阻器存算一體芯片，在支持片上學習的憶阻器存算一體芯片領域取得重大突破。 ? 該芯片包含支持完整片上學習所必需的全部電路模塊，成功完成圖像分類、語音識別和控制任務等多種片上增量學習功能驗證，展示出高適應性、高能效、高通用性、高準確率等特點，有效強化智能設備

發表于10-20 09:00 ? 7334
存算一體芯片生產制造流程與傳統AI芯片的差異是什么？

一般芯片驗證從層級上可以大概劃分為IP level，Subsystem level，和SoC level的驗證；根據項目的階段可以分為前端驗證和后端驗證；驗證手段包括直接驗證，隨機驗證，通過ref model檢查或者斷言檢查等；

發表于10-11 16:49 ? 1839
不只是智能駕駛！從SRAM到RRAM，存算一體大算力芯片將賦能更多領域！

近幾年，隨著物聯網、人工智能等技術的發展，算力的需求越來越大。而在馮諾依曼架構下，芯片性能的提升遇到瓶頸。業界開始不斷探索新的技術形式，因為具備大算力、低功耗的特點，存算一體架構芯片應運而生。

發表于09-25 07:00 ? 8317
存算一體芯片的壁壘體現在哪些方面?

通常需要在芯片內配置大容量的SRAM來減少片外DRAM的訪存需求，如何組織SRAM，并且配合上述計算流程，也是一個重要的設計內容。

發表于09-22 14:16 ? 1741
存算一體芯片的技術壁壘

作為后摩爾時代發展的必然趨勢之一，存算一體越來越受到行業的關注。在存算十問的前六問中，我們梳理了存算一體的技術路線、挑戰和通用性等問題，這一次我們從技術的壁壘入手，邀請后摩智能的幾位研發人員來談談，從學術到商用，存算一體的技術壁壘體現在哪里，后摩智能又是如何從IP、電路設計、架構設計等層面突破技術難題，形成自己獨有的技術壁壘。

發表于09-22 14:16 ? 2482
如何選擇存儲器類型存算一體芯片發展趨勢

閃存存算方面，目前主要路線是基于NOR flash（不是目前優盤所用的閃存類型），多數情況下存儲容量較小，這使得NOR flash單片算力達到1 TOPS以上器件代價較大，通常業內說大算力一般是20-100TOPS以上，因此不太好直接做大算力的存算一體。而其他的存儲器，包括SRAM、RRAM等，現在已經看到，有實際產品證明可以是可以用來做到大算力的存算一體。

發表于09-06 12:40 ? 1792
存算一體芯片面臨的挑戰和困難有哪些

架構配置文件則對存算一體架構的各項參數進行配置，使模擬器能夠仿真不同的存算一體架構。核心設計是PIMSIM-NN的重點，主要有4個處理單元，分別是矩陣單元、向量單元、傳輸單元和標量單元。

發表于08-17 12:52 ? 2969

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