一、產品綜述
Simcenter T3Ster SI熱瞬態測試儀，是半導體熱特性熱測試儀器。它通過非破壞性地測試封裝好的半導體器件的電壓隨著時間的瞬態變化，快速地獲得準確的，重復性高的結溫熱阻數據以及結構內部信息。Simcenter T3STER SI支持對器件進行在線測試，結殼熱阻測試等。測試結果可以生成熱阻熱容模型供熱仿真軟件使用，同時也可以用于校準詳細的仿真模型。
Simcenter T3STER SI的測試方法滿足國際通用標準：JEDEC JESD51-1，JEDEC JESD51-14，美軍標MIL 883H，MIL 750E以及國際電工委員會的ICE60747系列。
Simcenter T3STER SI的研發部門MicReD聯合英飛凌共同制定了***的結殼熱阻測試標準JEDEC JESD 51-14: Transient Dual Interface Test Method。T3STER SI的測試方法完全符合標準要求，支持通過兩種方法來計算結殼熱阻。
Simcenter T3STER SI的研發部門MicReD制定了***個使用電學法測試LED器件真實熱阻的***JESD51-51，以及規范LED器件光熱一體化測試的JESD51-52。
Simcenter T3STER SI既能進行穩態結溫、熱阻測試，也能進行熱瞬態測試。在采集瞬態溫度響應曲線（冷卻曲線）時，采樣時間間隔最快可達1微秒。
Simcenter T3STER SI***的結構函數(structure function)可以圖形化地展示熱流傳導路徑上每層結構的熱阻和熱容信息，非破壞性地檢測封裝結構的改變，因而被廣泛地應用于產品封裝的新材料或新工藝的對比、產品可靠性研究、產品質量評估以及接觸熱阻等各個領域。
Simcenter T3STER SI可以與Simcenter Flotherm Flexx和Simcenter FLOEFD等仿真軟件高度配合，建立準確高效的Digital Twin，包括為仿真軟件輸出RC網絡模型，校準仿真模型等。從而提高仿真準確度，提升仿真設計速度。
Simcenter T3SterSI具有完全重新設計的系統硬件架構和控制軟件。
● 可用性的優化
● 相對簡單的集成
● 靈活的配置以及相對較高的測量/生產效率
二、產品優勢
三、應用概述
應用對象● 各種三極管、二極管等半導體分立器件，包括：常見的半導體閘流管、雙極型晶體管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件；● 各種復雜的IC以及MCM、SIP、SoC等新型結構；● 各種復雜的散熱模組的熱特性測試，如熱管、風扇等；
Simcenter T3STER SI可測試的器件針對不同的器件，需要選擇合適的TSP● 二極管：選擇正向壓降VF作為TSP，所有器件都可以當成二極管測試；● 三極管：BJT：Vbe● MOSFET（包括SiC MOSFET）：Vsd● IGBT（包括分立器件和功率模塊）：Vce● GaAs FET和GaN HEMT：Vgs，柵極電流或Vce● 熱測試芯片：內置了加熱電阻和溫敏二極管；在加熱電阻上施加功率，測試二極管● 數字IC：襯底二極管，VCC和GND反向偏置，施加加熱功率并測試。
產品設計和研發階段1）通過測試+仿真的數字孿生，從源頭上***設計模型的準確性，節約設計成本，減少返工的幾率；2）測試原型器件的熱學結構信息，發現隱藏的設計缺陷，及時改進產品的設計；3）通過結構函數強大的結構對比功能，在***產品性能的前提下，選擇性價比更高的材料和工藝；4）提供基于測試結果的仿真模型供下游客戶使用，增強產品的市場競爭力；● 產品制造階段：發現隱藏的缺陷，降低后期維保的成本；● 質量評估階段：對產品進行全方位的熱學表征，及時發現產品的質量缺陷。
四、T3ster SI***的技術優勢
***的靜態實時測試方法
T3Ster SI的測試技術與傳統的動態測試法(dynamic mode)不同，采用的是***的靜態測試法(static mode)，可以實時地采集待測器件的結溫隨著時間的變化。而動態測試法是通過人為構建脈沖加熱功率來模擬瞬態過程，并非器件實際的瞬態溫度響應。靜態法的測試時間短、測試數據點密而且測試數據的信噪比更高。
測試啟動時間高達1us，***測試結果準確性
研究表明，在測試中如果瞬態變化最初1ms時間內的溫度沒有被采集到，最終的熱阻值將被低估10%-15%左右。
實時采樣時間間隔高達1us，采樣點數最多65000點，***數據完備性
T3ster SI有4個瞬態測量通道，具有1Msample/s采樣率，18bit分辨率，即高達0.002℃的分辨率，并具有0.025℃的RMS噪聲。可以理解為其擁有更好的分辨率、***的噪音、更好的信噪比。T3ster的結溫分辨率是0.01℃，16bit分辨率。
