磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進一步強化了該公司在MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。現(xiàn)在，所有需要無電數(shù)據(jù)保持以及SRAM性能的應(yīng)用都可使用具有非揮發(fā)性、高性能、以及高可靠性優(yōu)勢的MRAM技術(shù)。

　　Everspin科技公司首席運營官Saied Tehrani表示：“Everspin將持續(xù)快速擴展MRAM產(chǎn)品組合，以協(xié)助更多客戶實現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標(biāo)。根據(jù)產(chǎn)品發(fā)展藍圖，我們將不斷提高MRAM產(chǎn)品的容量，并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨有特性。”

　　MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，并允許無限制的讀/寫循環(huán)。在每次寫入后，資料能持續(xù)保存超過20年。此外，與其它存儲器不同，MRAM還可免除因宇宙射線所產(chǎn)生的軟錯誤率(SER, soft error rate)。這款16Mb MRAM由位寬為16的1,048,576個字組成。引腳和功能可與異步SRAM兼容。MR4A16B目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)自動化、機器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)儲存、多功能打印機、以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設(shè)計的系統(tǒng)。

　　MR4A16B提供小尺寸48引腳球柵陣列(BGA)封裝和54引腳的薄形小尺寸(TSOPII)封裝兩種形式。這些封裝均能與相似的低功率SRAM產(chǎn)品和其它非揮發(fā)RAM產(chǎn)品兼容。

　　供貨情況

　　新款16Mb MRAM系列包括商業(yè)級(0℃至+70℃)和工業(yè)級(-40℃至+85℃)兩種溫度范圍。現(xiàn)已可提供樣品，并預(yù)計于2010年7月開始量產(chǎn)。價格咨詢請聯(lián)系Everspin銷售部和代理商。

　　Everspin的產(chǎn)品系列

　　Everspin的MRAM技術(shù)具高可靠性、快速讀/寫、即時開啟、非揮發(fā)性、和無限次擦除等特性。加入新的16Mb MRAM成員后，現(xiàn)在Everspin的產(chǎn)品組合包括提供BGA和TSOP兩種可選封裝、容量從256Kb到16Mb的8位和16位并行I/O產(chǎn)品，以及采用DFN封裝、容量從256Kb到1Mb的串行I/O產(chǎn)品。