深圳市浮思特科技有限公司文章

• 半導體技術如何推動現代醫療電子的發展2024-08-27 11:46

  

  在過去幾十年中，醫療技術不斷進步，促使醫療行業在當前時代經歷了徹底的變革。創新半導體在電子元件中的廣泛應用迅速為開發高度復雜的醫療儀器打開了大門，這些儀器能夠高效地診斷和管理各種病理狀況。持續的小型化電子元件的努力，促成了更小、更可穿戴或便攜的醫療設備的發展，使得患者可以進行持續而細致的監測，為大多數患者提供在家護理的便利，而不犧牲醫療監督的質量。可穿戴和便

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• 特斯拉上海超級工廠建設加速，Megapack電池產能蓄勢待發2024-08-23 11:09

  

  近日，特斯拉公司全球副總裁陶琳(Grace)通過其社交媒體平臺透露，位于中國上海的特斯拉新超級工廠建設正以前所未有的速度推進，當前工程進度已順利達到45%，特斯拉的目標是將生產時間表定在2025年第一季度，標志著這一矚目的項目正穩步邁向新的里程碑。回溯至去年，特斯拉與上海臨港新區成功達成了具有深遠意義的合作協議，并在年底舉行了盛大的正式簽約儀式，為特斯拉在中

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• GaN FET(場效應晶體管)中集成電流傳感的優勢2024-08-23 11:02

  

  本文重點介紹了一項新發展：將電流傳感(CS)直接集成到采用PDFN封裝的氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)中，且無需外部供電。我們將深入探討這一解決方案的優勢、性能以及通過60W適配器電子驗證板獲得的實驗結果。集成電流傳感器與外部電流傳感電阻的比較在電力電子應用中，例如反激式變換器或功率因數校正(PFC)，通常需要檢測開關電流，以實現峰值/谷值電流模式控

  GaN 傳感器 場效應晶體管 電流傳感 1087瀏覽量

• 新能源汽車充電技術的未來：高功率車載充電機(OBC)的崛起2024-08-20 11:34

  

  在全球汽車行業經歷電動化轉型的浪潮中，新能源汽車的充電效率和便捷性成為了消費者關注的焦點。當前，大多數新能源汽車的車載充電機(OBC)功率在6.6kW至7.2kW之間，面對日益增大的電池容量，這一功率水平顯得捉襟見肘。為了滿足未來電動車的充電需求，行業內已經開始著手開發功率更高的OBC方案，目標功率范圍在11kW至22kW之間，這將為電動車的快速充電提供更強

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• SiC FET在固態斷路器應用中的沖擊電流處理能力2024-08-20 11:05

  

  固態斷路器(SSCB)相比于傳統的電機械斷路器具有多種優勢。基于寬帶隙(WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的SSCB可以在許多應用中擴大其競爭優勢。SSCB的優勢傳統的電機械斷路器依靠電磁作用進行短路檢測和中斷，同時利用雙金屬作用實現過載電流保護。電磁效應依賴于線圈和接點，涉及多個運動部件。故障限制響應時間通常在幾毫秒左右，具體取決于額定值和使

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• 臺積電斥資171.4億新臺幣收購Innolux工廠，加速先進封裝產能擴張2024-08-19 11:33

  

  全球領先的半導體制造巨頭臺積電，在持續擴大其生產版圖方面邁出了重要一步。據LibertyTimesNet于8月15日的最新報道，臺積電正式宣布已完成對先進封裝及面板制造商Innolux位于臺灣南部科學園區的一座重要工廠的收購，交易金額定為171.4億新臺幣，遠低于市場普遍預期的200億新臺幣水平，展現了其高效的資本運作能力。此次收購的工廠占地面積超過96,0

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• 提升傳統基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊2024-08-19 11:31

  

  近年來，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當前使用IGBT的電力轉換器設計師的真正替代方案。到目前為止，大多數SiCMOSFET的設計成功主要發生在低功率到20kW范圍內的電力轉換器中，這些通常是全新設計，這一趨勢主要是由于提高光伏逆變器和其他工業電源應用的效率的需求。圖1設計師們現在正在使用市面上可用的高功率全SiC電力模塊和驅動器

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• SemiQ將S7封裝添加至其QSiC™高性能功率模塊系列2024-08-16 11:18

  

  SemiQ公司在其QSiC™系列SiC功率模塊中新增了一種S7封裝，該系列模塊包括1200V的半橋MOSFET和肖特基二極管模塊。這些組件為電力工程師提供了更大的設計靈活性，能夠為新設計提供緊湊、高效和高性能的選擇。同時，它們也便于無縫替換那些需要提升效率的舊系統。此次公告包括四個新電子模塊的發布：一個529AMOSFET模塊(GCMX003A120S7B1

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• 反向導電IGBT的控制方法2024-08-16 11:13

  

  當IGBT和二極管的功能結合在單個硅片上時，就產生了反向導電IGBT(RC-IGBT)。這使得標準的IGBT/二極管模塊可以在單個硅芯片上構建，從而增強了電流承載能力，而無需增加模塊的占地面積。此外，根據器件技術的不同，二極管的電氣性能可以受到IGBT柵極控制狀態的影響。然而，為了管理復合RC-IGBT中的損耗，需要考慮特殊的控制方法。器件介紹反向導電IGB

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• GaN技術引領功率電子產業新風潮，預估2030年市場規模將突破43億美元2024-08-15 10:39

  

  隨著全球對高效能電力解決方案的需求日益增加，氮化鎵(GaN)技術正在成為功率電子產業的一大亮點。近期，英飛凌和德州儀器等行業巨頭對GaN技術的投入不斷加大，標志著功率GaN產業的發展即將迎來新一輪的快速增長。根據TrendForce集邦咨詢發布的《2024全球GaNPowerDevice市場分析報告》，2023年全球GaN功率元件市場規模約為2.71億美元，

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