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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 德州儀器正式投產(chǎn)氮化鎵功率半導體產(chǎn)品,展現(xiàn)自有制造能力新高度2024-10-30 11:59

    德州儀器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本會津的工廠正式投產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率半導體產(chǎn)品,此舉標志著該公司在GaN半導體自有制造能力上的前所未有的四倍增長。這一進展不僅強化了TI在半導體市場的競爭力,也為新一代電子產(chǎn)品的高效能提供了有力的支持。氮化鎵作為硅(Si)的替代材料,因其在能源效率和功率密度方面的顯著優(yōu)勢而受到越來
  • 被動元件:電阻器、電感器和電容器如何在電路中發(fā)揮作用?2024-10-30 11:57

    在電路中使用三種類型的被動元件:電阻器、電感器和電容器。被動元件意味著這些元件在電壓或電流波動時,其行為變化較小。其他元件被稱為有源元件,對電壓和電流的反應(yīng)是非線性的。二極管、晶體管和熱電子閥是有源元件的例子。電阻器、電感器和電容器根據(jù)用途有不同的樣式和類型。電阻器電阻器阻礙電流的流動,更具體地說,阻礙電流的流動。在此過程中,電阻器會導致電壓下降并散發(fā)熱量。
  • 意法半導體發(fā)布第四代STPower硅碳化物MOSFET技術(shù)2024-10-29 10:54

    意法半導體(STMicroelectronics)近日推出了其第四代STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技術(shù),標志著在高效能和高功率密度領(lǐng)域的又一重大進展。新一代MOSFET不僅在電動汽車中具有廣泛應(yīng)用潛力,也適用于各類高壓和高功率密度的工業(yè)應(yīng)用。新發(fā)布的MOSFET特別針對電動汽車的牽引逆變器,這是電動汽車動力系統(tǒng)中不可或缺的部分,負責將電池組中的
    MOSFET SiC 半導體 1406瀏覽量
  • 為什么WBG材料是5G系統(tǒng)未來發(fā)展的關(guān)鍵?2024-10-29 10:52

    電力半導體正在顯著影響下一代網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展。寬帶隙(WBG)半導體材料在電信系統(tǒng)中的集成正在成為支持和增強5G基礎(chǔ)設(shè)施的戰(zhàn)略解決方案。在連接性方面,WBG半導體相較于傳統(tǒng)硅設(shè)備具有顯著優(yōu)勢,使其成為先進電信環(huán)境中理想的應(yīng)用材料。隨著時間推移,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在5G基礎(chǔ)設(shè)施中的重要性不斷上升,這得益于這些材料固有的技術(shù)特性,以及在能源效率和熱管理
    5G SiC 半導體 1020瀏覽量
  • 全球成熟制程晶圓代工產(chǎn)能預計將增長6%2024-10-28 11:27

    根據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新調(diào)研,預計到2025年,全球成熟制程的晶圓代工產(chǎn)能將增長6%。這一數(shù)據(jù)不僅反映了當前半導體行業(yè)的趨勢,也揭示了先進制程與成熟制程之間的明顯需求分化。隨著人工智能、5G和高性能計算等新興技術(shù)的迅速發(fā)展,半導體市場正在經(jīng)歷重要的轉(zhuǎn)型。在先進制程領(lǐng)域,5/4nm和3nm技術(shù)的需求持續(xù)旺盛。AI服務(wù)器、高性能計算(HPC)芯片以
    半導體 晶圓 芯片 1092瀏覽量
  • 高壓電池斷開開關(guān)的未來:氮化鎵技術(shù)能否解決關(guān)鍵挑戰(zhàn)?2024-10-28 11:25

    目前市場上的電動車使用的是400V和800V的電池,標稱電流超過200安培。如果這些高壓和高電流連接到車身或任何導電部件上,可能會導致致命風險。為了防止這種情況的發(fā)生,制造商采用高壓高電流直流接觸器繼電器,將電池的正負極與高壓電路網(wǎng)斷開,如圖1所示。圖1繼電器的挑戰(zhàn)如果使用繼電器為并聯(lián)于逆變器的直流鏈路電容充電,則需要預充電電路,該電路的涌入電流取決于電容的
  • N通道和P通道場效應(yīng)晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?2024-10-25 11:58

    晶體管是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的半導體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先,作為其真空管前身三極管,晶體管可以放大電信號。其次,晶體管可以作為計算機的信息處理和存儲的開關(guān)設(shè)備。場效應(yīng)晶體管是控制電流通過電場的半導體器件。晶體管不僅可以放大電信號,還可以作為開關(guān)設(shè)備。計算機利用晶體管的開關(guān)能力進行算術(shù)和邏輯運算以及信息存儲。它們使用二進制代碼——以基數(shù)2書寫的
  • Wolfspeed暫停德國SiC晶圓廠建設(shè),德國半導體招商引資再遭重創(chuàng)2024-10-25 11:53

    近期,美國半導體公司W(wǎng)olfspeed宣布暫停在德國恩斯多夫(Ensdorf)建設(shè)碳化硅(SiC)晶圓廠的計劃,此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。Wolfspeed的決定恰逢英特爾也因營運危機而擱置馬格德堡建廠案,進一步凸顯了當前德國半導體產(chǎn)業(yè)面臨的投資挑戰(zhàn)。Wolfspeed原計劃在德國投資30億歐元,旨在增強其在碳化硅材料領(lǐng)域的生產(chǎn)能力,以滿足電動車和新能源行業(yè)
  • 2024年全球硅晶圓市場回暖:SEMI預測出貨量將穩(wěn)步增長2024-10-24 11:13

    近日,半導體行業(yè)協(xié)會(SEMI)發(fā)布了其最新的年度硅晶圓出貨量預測報告,展現(xiàn)出全球硅晶圓市場的積極信號。報告指出,經(jīng)歷了去年的14.3%跌幅后,今年全球硅晶圓出貨量的下跌幅度將顯著收窄,僅下降2.4%。這一趨勢不僅反映出市場的恢復力,還顯示出在人工智能(AI)和先進制程等領(lǐng)域的強勁需求。硅晶圓作為大多數(shù)半導體產(chǎn)品的基礎(chǔ)構(gòu)建材料,扮演著至關(guān)重要的角色。半導體本
    SEMI 半導體 硅晶圓 1081瀏覽量
  • BiGaN開關(guān)在廣泛電源管理中的應(yīng)用2024-10-24 11:11

    保護USB端口、為來自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負載開關(guān)免受浪涌影響,都依賴于雙向電壓阻斷和電流導通。到目前為止,設(shè)計人員只能使用兩個N型MOSFET以背靠背的方式連接在共同源極配置中來實現(xiàn)這一目的。這種方法涉及兩個組件,并因?qū)娮?RDS(on))、安全工作區(qū)(SOA)及其他特性而受到限制(見圖1)。雙向氮化鎵(BiGaN)開關(guān)是一種創(chuàng)新的解決方案,
    GaN MOSFET 電源管理 1327瀏覽量