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深圳市浮思特科技有限公司

分享功率器件、觸控驅動、MCU等硬件知識,行業應用和解決方案,以及電子相關的行業資訊。

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • Microchip 推出全新IGBT 7元件組合,滿足高增長市場需求2024-12-11 11:42

    近日,Microchip Technology公司宣布推出其最新的IGBT 7元件組合,該系列產品專為支持多種電力拓撲結構而設計,涵蓋了廣泛的電流和電壓范圍。
    IGBT microchip 晶體管 1086瀏覽量
  • 單相感應電動機維護與故障排除指南2024-12-11 11:40

    單相感應電動機在工業裝置中常用于產生旋轉運動輸出。無論是驅動小型壓縮機還是大型輸送系統和泵,這些電動機在不需要或無法提供三相電源的情況下提供了一種多功能的選擇。
  • 瑞薩與英特爾聯手推出電源管理解決方案,助力低功耗移動運算2024-12-10 11:58

    近日,瑞薩電子與英特爾公司宣布共同推出一款全新的電源管理解決方案,該方案包含RAA225019PMIC(電源管理集成電路)、RAA489301高效能預穩壓器和ISL9241電池充電器,專為低功耗移動運算應用程序優化。RAA225019PMIC作為該方案的核心組件,具有高度可配置性,整合了功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和電流感應電路。這款PM
  • 虛擬設計與優化電力電子系統依賴于半導體芯片模型2024-12-10 11:57

    電力電子系統的虛擬優化對于提升現代技術的性能和效率至關重要。這一過程的核心在于開發精確的半導體模型,這對于模擬電力電子轉換器的開關行為、電流共享和過壓特性是不可或缺的。本文概述了一種新穎的半導體建模方法,該方法結合了靜態和動態表征技術以及參數擬合,從而能夠創建高度精確的模型。電力電子技術幾乎存在于現代生活的各個方面,從消費電子到可再生能源集成和交通。這些系統
  • 全球晶圓代工市場三季度營收創新高,臺積電穩居首位!2024-12-09 11:56

    近日,市場研究機構TrendForce發布的報告顯示,2024年第三季度,全球前十大晶圓代工廠總營收實現環比增長9.1%,達到349億美元,創下歷史新高。這一成績的取得,得益于新智能手機和PC/筆記本電腦的發布,以及AI服務器相關高性能計算(HPC)需求的持續強勁。報告指出,第三季度晶圓代工廠的營收增長,主要得益于3nm工藝的高價貢獻。3nm工藝的晶圓代工價
    臺積電 晶圓代工 2354瀏覽量
  • 浮思特|如何通過設計SiC功率模塊優化電動汽車電機驅動熱管理效率?2024-12-09 11:54

    提高電機驅動系統的功率密度是提升電動汽車性能的關鍵。特斯拉已經使用的碳化硅(SiC)功率模塊,有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗,并且能在高頻下運行。盡管SiC器件已經有所應用,但要想大規模使用,必須改進其散熱性能。在SiC電機驅動系統中,各種具有改進熱散性能的器件設計正在涌現。電動汽車熱設計中的SiC熱散系統在功率電子設備中占據了很
    SiC 電動汽車 碳化硅 1244瀏覽量
  • 優化電動汽車充電器控制:C-HIL技術與雙有源橋實時仿真解決方案2024-12-06 11:21

    交通電氣化正在改變車輛的設計、測試和制造方式。控制器硬件在環(C-HIL),也被稱為信號-HIL,已成為測試電力電子控制固件的一種替代方法,它提供了易用性、通過自動化實現的廣泛測試覆蓋率,以及與包含功率流的測試方法(如功率-HIL設置)相比相對較低的成本。隨著電動汽車的普及,固定充電器和車載充電器(OBC)在行業中受到越來越多的關注,這為未來電動出行帶來了關
  • 浮思特 | 碳化硅驅動電機的總擁有成本——總體情況2024-12-05 11:25

    在各種應用領域取得商業成功之后,碳化硅準備進入競爭激烈的工業電機驅動市場。碳化硅功率模塊的實際好處不僅僅局限于效率提升。對比兩種電機驅動類型可以看到在各個方面都能節省成本。關鍵是從整體的角度來看。在太陽能、能源儲存系統、電動汽車和電動汽車充電器等領域,碳化硅MOSFET已經被證明是硅IGBT的商業可行替代方案。這些都是效率提升和濾波器尺寸減小能夠抵消任何材料
  • 半導體三巨頭格局生變:英特爾與三星面臨挑戰,臺積電獨領風騷2024-12-04 11:25

    近期,半導體行業的形勢發生了顯著變化,英特爾和三星這兩大行業巨頭面臨重重挑戰,而臺積電與NVIDIA的強強聯手則在這一格局中脫穎而出。隨著英特爾CEO的突然下臺及三星半導體業務的動能不足,半導體制造領域的競爭態勢正在悄然變革。英特爾曾是半導體行業的領軍者,但近年來面臨的壓力不斷加大。公司在晶圓代工業務上的進展緩慢,未能有效吸引新客戶,使得其市場占有率持續下降
  • 非線性損耗模型:提升SiC變換器性能估算的準確性2024-12-04 11:24

    由于硅碳化物(SiC)MOSFET器件具有高電壓能力、較低的導通電阻、高溫操作的耐受性以及相對于硅更高的功率密度等固有特性,越來越受到電力系統設計師的青睞。因此,基于SiC的變換器和逆變器是電池驅動的電動車(BEVs)、可再生能源以及其他對效率要求極高應用的最佳選擇。意識到這些改進的特性,設計師需要使用可靠的工具和方法來估算損耗,以確定合適的冷卻系統,并最終
    MOSFET SiC 變換器 1704瀏覽量