英飛凌工業半導體文章

• 米勒電容、米勒效應和器件與系統設計對策2023-03-02 22:04

  

  搞電力電子的同學想必經常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關延時不說，還可能引起寄生導通，增加器件損耗。那么米勒效應是如何產生的，我們又該如何應對呢？我們先來看IGBT開通時的典型波形：上圖中，綠色的波形是GE電壓，藍色的波形是CE電壓，紅色的波形是集電極電流IC。在開通過程中，GE的電壓從-10V開始上升，上升至閾值電壓后，IGBT導通，開始流過電流

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• 新品 | EiceDRIVER™ 0.35A/0.65A 1200V SOI技術的三相柵極驅動器2023-02-21 22:04

  

  新品EiceDRIVER0.35A/0.65A1200VSOI技術的三相柵極驅動器EiceDRIVER1200V三相柵極驅動器，典型的0.35A源電流和0.65A灌電流。其采用DSO-24引腳封裝，適用于IGBT（絕緣柵雙極晶體管）/SiC（碳化硅）模塊和分立器件驅動。產品型號：6ED2231S12TEiceDRIVER1200V三相柵極驅動器，典型的0.3

  電流 驅動器 2113瀏覽量

• 請教如何解決FF1400R17IP4模塊雙脈沖測試電流振蕩？2023-02-09 22:05

  

  “做雙脈沖實驗時VCE電壓振蕩很大是為什么？”“英飛凌的產品文檔在哪里查找？”“IGBT橋臂模塊疊層銅排結構是否合理，是否需要優化？”當你有任何技術問題，卻苦于無法快速得到專業工程師的回復時，（InfineonDeveloperCommunity）英飛凌開發者社區是你的最佳選擇。在這里，大量英飛凌資深工程師常駐后臺，提供多種語言的問答服務，中國本土工程師24

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• 新品 | IMI111T - iMOTION™帶有微控制器、柵極驅動器和IGBT的IPM智能功率模塊2023-02-03 22:05

  

  新品IMI111T-iMOTION帶有微控制器、柵極驅動器和IGBT的IPM智能功率模塊集成了電機控制器、三相柵驅動器600V/2A和600V/4AIPM,在沒有散熱器情況可以驅動50W/70W電機，目標應用為大小家電和風機水泵。產品型號：IMI111T-026H：2A600VIPMIMI111T-046H：4A600VIPMiMOTIONIPM集成了電機控

  IPM 微控制器 驅動器 2144瀏覽量

• 新品 | -1A/2A，160V MOTIX™三相SOI柵極驅動器2023-01-30 22:11

  

  新品-1A/2A，160VMOTIX三相SOI柵極驅動器-1A/2A，160VMOTIX三相柵極驅動器，帶有集成的電源管理單元（PMU）、電流感應放大器（CSA）和過流保護（ITRIP）。產品型號：6ED2742S01QMOTIX6ED2742S01Q是一款基于SOI的160V柵極驅動器，用于三相無刷直流電動機驅動應用。集成的自舉二極管用于為三個外部高邊充電

  驅動器 柵極 2295瀏覽量

• 新品 | EasyPACK™ 2B 75A 1700V IGBT三相橋模塊和2200V EasyBRIDGE整流模塊2023-01-20 22:11

  

  新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊和2200VEasyBRIDGE整流模塊1700V電機驅動功率半導體解決方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊和2200VEasyBRIDGE整流模塊相關器件：FS75R17W2E4P_B11Easy2B封裝DDB6U50N22W1RP_B11Easy1B封裝EasyPACK

  模塊 整流器 3498瀏覽量

• 新品 | 采用950V IGBT7和1200VSiC二極管的三路45A 三電平Boost MPPT模塊2023-01-18 22:11

  

  新品光伏組串逆變器用45A三路MPPT模塊光伏組串逆變器用45A三路MPPT模塊，由950VIGBT7和1200VSiC二極管構成相關器件：FS3L400R10W3S7F_B1145A3路MPPTFS3L400R10W3S7F_B11是EasyPACK3B封裝的三路45AMPPT模塊。它采用950V的TRENCHSTOPIGBT7和1200V的CoolSiC

  二極管 模塊 MPPT 2753瀏覽量

• 是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案2023-01-16 22:11

  

  作者簡介作者：sureshthangavel翻譯：趙佳與硅技術相比，SiCMOSFET在光伏和儲能應用中具有明顯的優勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉換的時候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關鍵特征之一。如果只需要兩個工人來搬運和安裝該系統，將會非常利于運維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導體使電力轉換效率大幅提高。這

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• 如何手動計算IGBT的損耗2023-01-12 22:11

  

  現今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成，節省了不少精力，不得不說這對工程師來說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學的小伙伴總想知道工作機理。其實基礎都是大家學過的基本高等數學知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數學知識。我們先來看一個IGBT的完整工作波形：IGB

  IGBT 損耗 2937瀏覽量

• SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？2023-01-11 15:09

  

  眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖傳手藝。在硅基產品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，Si

  MOSFET SiC 2350瀏覽量