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博捷芯：芯片尺寸越做越小，晶圓劃片刀的選擇至關重要2022-10-19 15:35
隨著終端電子產品往多功用化、智能化和小型化方向開展，芯片尺寸越做越小，留給晶圓劃片機的空間越來越小，既要保證足夠的良品率，又要確保加工效率，這對晶圓劃切刀片以及劃片工藝是不小的應戰。從劃片刀自身的制造來看，影響刀片性能乃至影響晶圓劃片的幾個重要要素是：金剛石顆粒大小、顆粒集中度、分離劑強度、刀片厚度、刀片長度、修刀工藝。本文主要剖析這幾個要素的影響作用，協助劃片機 18333瀏覽量 -
博捷芯劃片機:不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝2022-10-08 14:40
晶圓經過前道工序后芯片制備完成，還需要經過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同：厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時，生產效率將大大降低；厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會對晶圓表面造成劃片機 18176瀏覽量 -
半導體劃片機的三種切割方式2022-08-19 14:06
劃片機的種類主要分為三種：分別是全自動劃片、半自動劃片（包含自動識別、手動識別）、手動劃片。具體功能如下：全自動劃片：是指在完成加工物模板教學的前提下，設備將對工作臺上的加工物自動上料，自動識別，自動清洗，依據切割參數的設定，沿多個切割向連續地進行切割。半自動劃片：對工作臺上的加工物（確定切割位置）后，依據切割參數的設定，可進行自動識別或手動識別，沿多個切割劃片機 2133瀏覽量 -
劃片機操作安全注意事項2022-08-10 13:58
精密劃片機是一種綜合了電力、壓縮空氣、冷卻水、氣浮高速主軸、精密機械傳動、傳感器及自動化控制等技術的精密數控設備。在安裝、調試、使用、保養、維修等操作之前，必須確認下列安全信息、操作規程以及注意事項。一、設備的安裝與調試1、劃片機的四周必須保留不小于0.5米的無障礙空間，方便操作及維修人員進行生產操作、保養和檢修。2、劃片機應安裝在無明顯震動、無腐蝕性氣體、劃片機 2927瀏覽量 -
精密劃片機:半導體材料在芯片生產制造過程中的關鍵性作用2022-07-26 10:31
半導體材料作為半導體產業鏈上游的重要環節，在芯片制造過程中起著關鍵作用。半導體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用于制造硅晶圓或化合物半導體；制造材料主要是將硅晶圓或化合物半導體加工成芯片所需的各種材料；包裝材料是包裝和切割芯片時使用的材料。本文主要介紹了半導體制造和密封測試中涉及的主要半導體材料。基體材料根據芯片材料的不同，基體材劃片機 3289瀏覽量 -
劃片機：晶圓加工第八篇—半導體芯片封裝完結篇2022-07-19 13:40
封裝經過之前幾個工藝處理的晶圓上會形成大小相等的方形芯片（又稱“單個晶片”）。下面要做的就是通過切割獲得單獨的芯片。剛切割下來的芯片很脆弱且不能交換電信號，需要單獨進行處理。這一處理過程就是封裝，包括在半導體芯片外部形成保護殼和讓它們能夠與外部交換電信號。整個封裝制程分為五步，即晶圓鋸切、單個晶片附著、互連、成型和封裝測試。1、晶圓鋸切要想從晶圓上切出無數致劃片機 2031瀏覽量 -
國內陸芯劃片機：晶圓加工第七篇—如何對半導體芯片進行測試2022-07-18 14:05
測試測試的主要目標是檢驗半導體芯片的質量是否達到一定標準，從而消除不良產品、并提高芯片的可靠性。另外，經測試有缺陷的產品不會進入封裝步驟，有助于節省成本和時間。電子管芯分選(EDS)就是一種針對晶圓的測試方法。EDS是一種檢驗晶圓狀態中各芯片的電氣特性并由此提升半導體良率的工藝。EDS可分為五步，具體如下：1、電氣參數監控(EPM)EPM是半導體芯片測試的第劃片機 2063瀏覽量 -
陸芯劃片機：晶圓加工第五篇—如何在晶圓表面形成薄膜？2022-07-14 09:21
薄膜沉積為了創建芯片內部的微型器件，我們需要不斷地沉積一層層的薄膜并通過刻蝕去除掉其中多余的部分，另外還要添加一些材料將不同的器件分離開來。每個晶體管或存儲單元就是通過上述過程一步步構建起來的。我們這里所說的“薄膜”是指厚度小于1微米（μm，百萬分之一米）、無法通過普通機械加工方法制造出來的“膜”。將包含所需分子或原子單元的薄膜放到晶圓上的過程就是“沉積”。劃片機 1591瀏覽量 -
劃片機：晶圓加工第四篇—刻蝕的兩種方法2022-07-12 14:56
刻蝕在晶圓上完成電路圖的光刻后，就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導體電路圖。要做到這一點需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。刻蝕的方法主要分為兩種，取決于所使用的物質：使用特定的化學溶液進行化學反應來去除氧化膜的濕法刻蝕，以及使用氣體或等離子體的干法刻蝕。1、濕法刻蝕使用化學溶液去除氧化膜的濕法刻蝕具有成本低、刻蝕速度快和生產率高劃片機 3482瀏覽量 -
劃片機：晶圓加工第三篇—光刻技術分為三個步驟2022-07-11 10:35
光刻光刻是通過光線將電路圖案“印刷”到晶圓上，我們可以將其理解為在晶圓表面繪制半導體制造所需的平面圖。電路圖案的精細度越高，成品芯片的集成度就越高，必須通過先進的光刻技術才能實現。具體來說，光刻可分為涂覆光刻膠、曝光和顯影三個步驟。1、涂覆光刻膠在晶圓上繪制電路的第一步是在氧化層上涂覆光刻膠。光刻膠通過改變化學性質的方式讓晶圓成為“相紙”。晶圓表面的光刻膠層劃片機 2794瀏覽量