動態

• 發布了文章 2025-11-11 09:29

  選型手冊：MOT3145J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT3145J是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、85A大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于便攜設備、電池供電系統及筆記本電腦電源管理等場景。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場

  MOS 仁懋電子 晶體管

  414瀏覽量

• 發布了文章 2025-11-11 09:23

  選型手冊：MOT2N65D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65D是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及650V耐壓，廣泛適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED電源等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(

  MOS 仁懋電子 晶體管

  401瀏覽量

• 發布了文章 2025-11-11 09:18

  選型手冊：MOT50N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通損耗、50A大電流承載能力及快速開關特性，適用于各類開關應用（如DC-DC轉換器、大功率負載開關等）。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場景；導通

  MOS 仁懋電子 晶體管

  569瀏覽量

• 發布了文章 2025-11-10 16:17

  選型手冊：MOT2914J 雙 N 溝道增強型 MOSFET

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強型MOSFET，憑借20V耐壓、超低導通電阻及優異的高頻開關特性，適用于DC/DC轉換器、高頻開關電路及同步整流等場景。一、產品基本信息器件類型：雙N溝道增強型MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_

  MOS MOSFET 仁懋電子

  415瀏覽量

• 發布了文章 2025-11-10 16:12

  選型手冊：MOT3920J 雙 N 溝道增強型 MOSFET

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強型MOSFET，憑借30V耐壓、超低導通電阻及優異的高頻開關特性，適用于DC/DC轉換器、高頻開關電路及同步整流等場景。一、產品基本信息器件類型：雙N溝道增強型MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_

  MOSFET MOT 仁懋電子

  440瀏覽量

• 發布了文章 2025-11-10 16:01

  選型手冊：MOT9166T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT9166T是一款面向200V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借6mΩ超低導通電阻、114A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統逆變器、輕型電動車、BMS（電池管理系統）、無人機等大功率場景。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）

  MOS 仁懋電子 晶體管

  634瀏覽量

• 發布了文章 2025-11-10 15:50

  選型手冊：MOT6120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT6120T是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借1.5mΩ超低導通電阻、229A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統逆變器、輕型電動車、無人機等大功率場景。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓大電

  MOS 仁懋電子 晶體管

  424瀏覽量

• 發布了文章 2025-11-10 15:42

  選型手冊：MOT70R380D N 溝道超級結功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正（PFC）、電源功率級、適配器、電機控制、DC-DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道超級結功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓功率轉換場景；導通電阻（\(R_

  MOS 仁懋電子 晶體管

  399瀏覽量

• 發布了文章 2025-11-07 10:54

  選型手冊：MOT70R280D N 溝道超級結功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借700V耐壓、超低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道超級結功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓功率轉換場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_

  MOS 仁懋電子 晶體管

  269瀏覽量

• 發布了文章 2025-11-07 10:40

  選型手冊：MOT10N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT10N65F是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低柵極電荷、快速開關特性及穩定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、UPS等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓高頻供電系統；導通電阻（\(R_{DS(o

  MOS 仁懋電子 晶體管

  387瀏覽量