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• 發(fā)布了文章 2025-11-20 16:22

  選型手冊：MOT50N03C N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、低柵極電荷及快速開關特性，適用于各類開關應用場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-20 16:15

  選型手冊：MOT6568J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT6568J是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-20 16:06

  選型手冊：MOT6515J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT6515J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-20 15:31

  選型手冊：MOT3180G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT3180G是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于DC/DC轉換器、高頻開關與同步整流等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（\(R_{DS(o

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-20 15:06

  選型手冊：MOT3510G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT3510G是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及高效散熱封裝，適用于SMPS（開關模式電源）、通用用途電路、硬開關與高頻電路、不間斷電源等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-19 15:25

  選型手冊：MOT4523D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借先進溝槽技術、低導通電阻及低柵極電荷特性，適用于負載開關、PWM應用、電源管理等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-19 15:21

  選型手冊：MOT8113T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT8113T是一款面向80V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借1.1mΩ超低導通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無人機等大功率場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\

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• 發(fā)布了文章 2025-11-19 15:15

  選型手冊：MOT4383T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT4383T是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借0.8mΩ超低導通電阻、400A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無人機等大功率場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\

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• 發(fā)布了文章 2025-11-19 11:15

  選型手冊：MOT20N50HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50HF是一款面向500V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開關電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：500V，適配高壓供電系統(tǒng)；導通電阻（\(R_{

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• 發(fā)布了文章 2025-11-19 10:24

  選型手冊：MOT13N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT13N50F是一款面向500V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關速度、100%雪崩測試驗證及500V耐壓，適用于高效開關電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：500V，適配高壓供電系統(tǒng)；導通電阻（\(R_{DS(o

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