動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-03-18 14:02

  特斯拉發(fā)布峰值功率升級版Powerwall 3，邁向能源獨立未來

  

  光能源的不穩(wěn)定性給持續(xù)能源生產(chǎn)帶來了挑戰(zhàn)，需要創(chuàng)新的解決方案來高效地存儲和管理電力，以實現(xiàn)能源的可靠利用。

  儲能系統(tǒng) 新能源 特斯拉

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• 發(fā)布了文章 2024-03-18 14:00

  電源管理芯片核心技術(shù)讓設(shè)備更智能、更高效

  

  本文將深入探討電源管理芯片的作用、工作原理、技術(shù)特點、應(yīng)用場景以及未來發(fā)展方向，揭示其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的核心地位。

  電子設(shè)備 電源管理芯片 電源芯片 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-03-15 16:36

  單片機抗干擾措施有哪些？

  

  電磁干擾(EMI)問題日益成為影響單片機穩(wěn)定性與可靠性的主要障礙。因此，探討和實施有效的抗干擾措施對于提高單片機系統(tǒng)的性能至關(guān)重要。下面為大家簡單介紹一種單片機抗干擾措施

  單片機 電子產(chǎn)品 電源

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• 發(fā)布了文章 2024-03-15 16:31

  英飛凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

  

  英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進行優(yōu)化的工業(yè)級和車規(guī)級SiCMOSFET。這些MOSFET廣泛適用于工業(yè)領(lǐng)域的典型應(yīng)用，如電動汽車充

  MOSFET 汽車 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-03-14 11:56

  三星澄清：未采用MR-MUF工藝，持續(xù)創(chuàng)新引領(lǐng)HBM芯片技術(shù)

  

  近期，針對三星是否在其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片生產(chǎn)中采用了MR-MUF(Magnetic RAM based Multi-Level Unified Memory Framework)工藝的討論在科技界引發(fā)了廣泛關(guān)注。

  HBM 三星 芯片技術(shù)

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• 發(fā)布了文章 2024-03-14 11:54

  半導(dǎo)體器件電荷載流的控制：柵極技術(shù)解析

  

  在電子工程的世界里，柵極是個魔法般的存在，它就像電路的指揮官，靠著一個個小小的動作就能控制電荷的流動，讓整個電子系統(tǒng)跳動起來

  半導(dǎo)體器件 柵極 電荷

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• 發(fā)布了文章 2024-03-13 14:26

  日立能源與TransnetBW攜手：超級電容器引領(lǐng)電網(wǎng)新風(fēng)向

  

  日立能源與TransnetBW合作，通過超級電容器促進可再生能源增長和電網(wǎng)彈性。雖然可再生能源具有非常好的環(huán)境效益，但其間歇性給電網(wǎng)整合帶來了挑戰(zhàn)。隨著人們注意力轉(zhuǎn)向可再生能源，保持電網(wǎng)穩(wěn)定性成為最緊要的問題。電網(wǎng)不穩(wěn)定的后果包括停電、設(shè)備損壞和基本服務(wù)中斷，因此需要加強電網(wǎng)穩(wěn)定措施和對彈性基礎(chǔ)設(shè)施的投資。日立能源公司與德國TransnetBW簽署了一份重要

  可再生能源 日立 電容器 電網(wǎng) 超級電容器

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• 發(fā)布了文章 2024-03-13 14:21

  什么是單片機：功能強大、應(yīng)用廣泛的集成電路芯片

  

  單片機（MicrocontrollerUnit，MCU）是一種集成電路芯片，它包含了中央處理器（CPU）、隨機存取存儲器（RAM）、MCP2515-I/ST只讀存儲器（ROM）、輸入輸出端口（I/O）和定時器計數(shù)器等部件，可以通過編程實現(xiàn)不同的功能。單片機廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、自動控制、通訊設(shè)備、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。一、術(shù)語介紹1.中央處理器（CPU）：

  mcu ROM 單片機 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2024-03-12 15:34

  一文讀懂何為IGBT

  

  IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件，在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。01作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心，IGBT結(jié)合了MOSFET的輸入阻抗高和GTR的低飽和壓降的特點，其獨特的工作原理使其在高頻、高效率、高電流環(huán)境下具有卓越表現(xiàn)。IGBT廣泛應(yīng)用于電動汽車、軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、光伏逆變器、工業(yè)驅(qū)動以及家用電器等眾多領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的晶體管

  IGBT MOSFET 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2024-03-12 15:32

  格力電器將于6月投產(chǎn)全球第二座SiC全自動化化合物芯片工廠

  

  格力電器的董事長兼總裁董明珠在羊城晚報兩會直播間上透露了一個重要消息：格力正在建設(shè)一家全新的SiC芯片工廠，并計劃在今年6月正式投產(chǎn)。據(jù)悉，格力在這個工廠的建設(shè)上投入了高達(dá)百億元的資金，旨在成為全球第二座、亞洲第一座全自動化化合物芯片工廠。根據(jù)公開資料顯示，珠海市生態(tài)環(huán)境局于2023年6月在官方網(wǎng)站上發(fā)布了《格力電子元器件擴產(chǎn)項目環(huán)境影響報告表受理公告》，這

  SiC 格力電器 芯片

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