動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-03-05 13:53
詳解晶閘管工作原理，全面掌握開(kāi)關(guān)控制技術(shù)
晶閘管是具有雙穩(wěn)態(tài)行為的三端電子元件。控制端稱為“門(mén)極”(G)。另外兩個(gè)端子，陽(yáng)極(A)和陰極(K)，與負(fù)載串聯(lián)導(dǎo)通電流，并且能夠承受高電壓。這些元件被用作電子開(kāi)關(guān)。簡(jiǎn)介晶閘管用于直流和交流電路中的開(kāi)關(guān)和功率控制電路。與晶體管不同，大多數(shù)晶閘管的門(mén)極信號(hào)可以移除，它們?nèi)詴?huì)保持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管設(shè)計(jì)用于處理高電流和高電壓，甚至超過(guò)1kV或100A。它們是具有四個(gè) -
發(fā)布了文章 2025-03-04 11:44
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發(fā)布了文章 2025-03-04 11:42
全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)250億美元！
根據(jù)YoleGroup最近公布的市場(chǎng)預(yù)測(cè)，全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)到2030年的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到約250億美元。這一預(yù)測(cè)顯示了化合物半導(dǎo)體行業(yè)在未來(lái)幾年的快速擴(kuò)張潛力，特別是在汽車和移動(dòng)出行領(lǐng)域的應(yīng)用。YoleGroup指出，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2024年至2030年間以接近13%的復(fù)合年增長(zhǎng)率迅速增長(zhǎng)。這一增長(zhǎng)主要得益于多個(gè)因素的驅(qū)動(dòng)，包括電動(dòng)汽車的普及、智能1.3k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-03 11:43
SemiQ第三代SiC MOSFET：車充與工業(yè)應(yīng)用新突破
SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)突破性升級(jí)，芯片面積縮小20%，開(kāi)關(guān)損耗更低，能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專為電動(dòng)汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)電源及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景打造，在熱管理性能和系統(tǒng)集成便利性方面均有顯著提升。圖1核心性能亮點(diǎn)：?總開(kāi)關(guān)損耗降低至1646微焦耳?爬電距離擴(kuò)展至9毫米?柵極驅(qū)動(dòng)電壓優(yōu)化 -
發(fā)布了文章 2025-03-03 11:41
氮化鎵技術(shù)推動(dòng)電動(dòng)汽車電源設(shè)計(jì)革新！
電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)師致力于通過(guò)提升功率、縮小系統(tǒng)尺寸并減少散熱需求，使電動(dòng)汽車更輕量化、自動(dòng)化，并配備更小電池。借助氮化鎵(GaN)汽車級(jí)功率器件在功率轉(zhuǎn)換、高頻開(kāi)關(guān)和熱管理領(lǐng)域的突破性進(jìn)展，電動(dòng)汽車的能效、可持續(xù)性和經(jīng)濟(jì)性正不斷提升。這些器件具備抗振動(dòng)、耐高溫及適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境的能力，助力動(dòng)力系統(tǒng)設(shè)計(jì)更緊湊，車身更輕量化。GaN的卓越熱管理能力降低了對(duì)龐大散熱器和冷1.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-01-24 11:27
臺(tái)積電兩工廠受地震影響，預(yù)計(jì)1至2萬(wàn)片晶圓報(bào)廢
近日，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造業(yè)巨頭臺(tái)積電遭遇了一次突發(fā)事件。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電位于臺(tái)南的Fab14和Fab18工廠在近期發(fā)生的地震中受損，初步估計(jì)將有1至2萬(wàn)片晶圓報(bào)廢。本月21日零時(shí)17分，臺(tái)灣嘉義縣發(fā)生了一場(chǎng)里氏6.4級(jí)的地震。這場(chǎng)地震對(duì)臺(tái)積電造成了不小的影響，尤其是其位于臺(tái)南的先進(jìn)制程產(chǎn)線。地震發(fā)生后，為確保人員安全，臺(tái)積電迅速啟動(dòng)了內(nèi)部安全預(yù)防措施，各廠 -
發(fā)布了文章 2025-01-23 11:13
碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領(lǐng)域的應(yīng)用與技術(shù)前景
隨著飛機(jī)、航天和衛(wèi)星系統(tǒng)對(duì)功率轉(zhuǎn)換需求的快速發(fā)展，技術(shù)趨勢(shì)正朝著更高功率和電壓水平、更小尺寸、更輕重量以及更高效率的轉(zhuǎn)換器方向發(fā)展。寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，在功率轉(zhuǎn)換器中具有許多優(yōu)勢(shì)，例如提高功率密度和效率，因此可能非常適合于空間應(yīng)用。然而，這些WBG器件的抗輻射性能需要被仔細(xì)考慮。本文概述了在飛機(jī)和空間功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域使用 -
發(fā)布了文章 2025-01-22 11:03
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發(fā)布了文章 2025-01-22 11:02
揭示電子行業(yè)中氮化鋁的3個(gè)常見(jiàn)誤區(qū)
雖然早在1862年就首次開(kāi)發(fā)了氮化鋁(AIN)，但直到20世紀(jì)80年代，其在電子行業(yè)中的潛力才被真正認(rèn)識(shí)到。經(jīng)過(guò)幾年的發(fā)展，氮化鋁憑借其獨(dú)特的特性，成為下一代電力電子設(shè)備(如可再生能源系統(tǒng)和電動(dòng)汽車)理想的材料。根據(jù)BusinessResearchInsights的報(bào)告，到2031年，氮化鋁的市場(chǎng)價(jià)值預(yù)計(jì)將以每年6.9%的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)增長(zhǎng)。這表明1.4k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-01-21 11:41
臺(tái)積電擴(kuò)展CoWoS產(chǎn)能以滿足AI與HPC市場(chǎng)需求！
臺(tái)積電(TSMC)，作為全球半導(dǎo)體行業(yè)的巨頭，一直以來(lái)致力于滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，尤其是在人工智能(AI)和高性能計(jì)算(HPC)領(lǐng)域。近日，臺(tái)積電向臺(tái)灣南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)(南科)管理局提交了租地申請(qǐng)，計(jì)劃在南科三期建設(shè)兩座新的晶圓廠以及一棟辦公大樓，以擴(kuò)大其先進(jìn)封裝技術(shù)CoWoS(ChiponWaferonSubstrate)的產(chǎn)能。這一舉措不僅展示了臺(tái)積電
