動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-03-14 11:01
2 kV SiC功率模塊：推動(dòng)1500 V系統(tǒng)的革命
由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級(jí)價(jià)值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來(lái)越普遍。通過(guò)將最新一代SiC芯片的阻斷電壓擴(kuò)展至2000V，新的可能性隨之而來(lái)。以前需要中壓器件或多級(jí)拓?fù)涞闹绷麈溄与妷含F(xiàn)在可以更輕松地處理。最新的碳化硅電壓等級(jí)正在促進(jìn)1500V級(jí)逆變器的電路拓?fù)滢D(zhuǎn)變。憑借經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的芯片技術(shù)、低開(kāi)關(guān)損耗和標(biāo)準(zhǔn)封裝， -
發(fā)布了文章 2025-03-13 11:09
意法半導(dǎo)體推出全新STM32U3微控制器，物聯(lián)網(wǎng)超低功耗創(chuàng)新
近日，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布推出新一代STM32U3微控制器(MCU)，旨在為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備帶來(lái)革命性的超低功耗解決方案。這款新產(chǎn)品不僅延續(xù)了意法半導(dǎo)體在超低功耗MCU領(lǐng)域的技術(shù)積累，更通過(guò)一系列創(chuàng)新設(shè)計(jì)，推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的高效能和長(zhǎng)續(xù)航。STM32U3微控制器搭載了最高96MHz的ARMCortex-M33核心，具備市場(chǎng)1.5k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-13 11:05
TRINNO特瑞諾 TGAN25N120ND N溝槽IGBT：感應(yīng)加熱和軟開(kāi)關(guān)領(lǐng)域新標(biāo)桿
在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N120NDNPTTrenchIGBT以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景受到了大家的青睞。本文將為您詳細(xì)介紹這一優(yōu)質(zhì)功率器件的特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域。圖1：TGAN25N120NDIGBT卓越的技術(shù)特點(diǎn)TGAN25N1201.8k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-12 11:42
英飛凌2024年MCU市場(chǎng)份額飆升，首次奪得全球微控制器市場(chǎng)首位
近日，根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia發(fā)布的最新報(bào)告，英飛凌科技公司(InfineonTechnologiesAG)在2024年的微控制器(MCU)市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將達(dá)到21.3%，相比2023年的17.8%增長(zhǎng)了3.5個(gè)百分點(diǎn)。這一顯著的增長(zhǎng)幅度使英飛凌在同業(yè)中成為增幅最大的企業(yè)，并且標(biāo)志著其在公司歷史上首次在全球微控制器市場(chǎng)登頂。微控制器是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件， -
發(fā)布了文章 2025-03-12 11:40
突破電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)的技術(shù)瓶頸：先進(jìn)的SiC溝槽技術(shù)
隨著汽車(chē)市場(chǎng)向主流采用加速，電力電子技術(shù)已成為創(chuàng)新的基石，推動(dòng)了卓越的性能和效率。在這一技術(shù)演變的前沿，碳化硅(SiC)功率模塊作為一項(xiàng)關(guān)鍵進(jìn)展，重新定義了電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)的能力。電動(dòng)汽車(chē)的日益普及依賴(lài)于延長(zhǎng)車(chē)輛續(xù)航里程和降低電池成本。這可以通過(guò)減少能量損失和提升逆變器中功率模塊的緊湊性來(lái)實(shí)現(xiàn)。由于SiC功率器件能夠?qū)崿F(xiàn)比傳統(tǒng)硅基器件更低的能量損失，因此它們引起1.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-11 11:39
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發(fā)布了文章 2025-03-11 11:34
智能計(jì)算新紀(jì)元：具記憶功能的晶體管問(wèn)世
在當(dāng)今電子工業(yè)中，對(duì)更快、更高效組件的需求巨大，以滿(mǎn)足現(xiàn)代計(jì)算的需要。傳統(tǒng)晶體管正逐漸達(dá)到其物理和操作極限，它們?cè)跀?shù)據(jù)中心中消耗大量能源和空間，尤其是在需要數(shù)十億個(gè)晶體管來(lái)存儲(chǔ)和處理數(shù)據(jù)的場(chǎng)景下。隨著數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的急劇增長(zhǎng)，這種方法變得不可持續(xù)。來(lái)自約翰霍普金斯大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)了一種新型記憶電阻器(memristor)，能夠擁有更豐富的記憶，提升其效率。該研究 -
發(fā)布了文章 2025-03-07 11:11
Marvell展示2納米芯片3D堆疊技術(shù)，應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)復(fù)雜性挑戰(zhàn)！
隨著現(xiàn)代科技的迅猛發(fā)展，芯片設(shè)計(jì)面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。特別是在集成電路(IC)領(lǐng)域，隨著設(shè)計(jì)復(fù)雜性的增加，傳統(tǒng)的光罩尺寸已經(jīng)成為制約芯片性能和功能擴(kuò)展的瓶頸。為了解決這一問(wèn)題，3D堆疊技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)的重要手段。近期，Marvell公司在這一領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展，展示了其采用臺(tái)積電最新2納米制程的矽智財(cái)(IP)解決方案，用于AI和云端基礎(chǔ)設(shè)施芯片1.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-07 11:10
SiC與GaN技術(shù)專(zhuān)利競(jìng)爭(zhēng)：新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機(jī)遇
在過(guò)去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢(shì)，如降低功率損耗、更高的開(kāi)關(guān)速度以及能夠在高溫下工作，使其特別適用于電動(dòng)汽車(chē)(EV)、可再生能源系統(tǒng)和先進(jìn)通信技術(shù)等應(yīng)用。專(zhuān)利申請(qǐng)通常是一個(gè)領(lǐng)域研發(fā)和商業(yè)活動(dòng)水平的有力指標(biāo)。從圖1可以看出，SiC和GaN基礎(chǔ)的電力電子技術(shù)的專(zhuān)利申請(qǐng)趨勢(shì)在過(guò)去十年 -
發(fā)布了文章 2025-03-05 13:56
三星電子成功研發(fā)量子耐性安全芯片S3SSE2A 應(yīng)對(duì)未來(lái)網(wǎng)絡(luò)安全挑戰(zhàn)
近日，三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部宣布成功研發(fā)出一款名為S3SSE2A的安全芯片，以應(yīng)對(duì)不斷發(fā)展的量子電腦技術(shù)所帶來(lái)的網(wǎng)絡(luò)安全威脅。這款芯片不僅已完成樣品出貨準(zhǔn)備，更在行業(yè)內(nèi)率先采用了量子耐性口令(PQC)技術(shù)，標(biāo)志著三星在移動(dòng)產(chǎn)品安全領(lǐng)域的又一重要進(jìn)展。量子計(jì)算機(jī)的快速發(fā)展正在對(duì)傳統(tǒng)的公鑰加密(PKC)技術(shù)構(gòu)成嚴(yán)重威脅。現(xiàn)有的加密算法，如RSA和ECC等，在面1.2k瀏覽量
