動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-02-18 14:17
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發(fā)布了文章 2025-02-17 17:24
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發(fā)布了文章 2025-02-17 17:19
聚焦離子束(FIB)技術(shù):芯片調(diào)試的利器
FIB技術(shù)在芯片調(diào)試中的關(guān)鍵應(yīng)用1.電路修改與修復(fù)在芯片設(shè)計和制造過程中,由于種種原因可能會出現(xiàn)設(shè)計錯誤或制造缺陷。FIB技術(shù)能夠?qū)π酒娐愤M(jìn)行精細(xì)的修改和修復(fù)。通過切斷錯誤的金屬連接線,并重新建立正確的連接,F(xiàn)IB可以快速糾正信號線連接錯誤等問題。對于早期的樣品或工程樣機(jī),F(xiàn)IB技術(shù)無需重新制造芯片,即可進(jìn)行快速的電路修改和驗(yàn)證,大大縮短了芯片的調(diào)試周期, -
發(fā)布了文章 2025-02-14 12:49
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發(fā)布了文章 2025-02-14 12:48
中性鹽霧試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)
鹽霧試驗(yàn)作為一種重要的腐蝕試驗(yàn)方法,廣泛應(yīng)用于評估材料、涂層及產(chǎn)品的耐鹽霧腐蝕性能。GB/T10125-2012《人造氣氛腐蝕試驗(yàn)鹽霧試驗(yàn)》、GB/T2423.17-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ka:鹽霧》以及ASTMB117-2011《操作鹽霧測試機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)方法》是目前國內(nèi)外應(yīng)用最為廣泛的鹽霧試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)。這三大標(biāo)準(zhǔn)雖在具體細(xì)節(jié)上存在 -
發(fā)布了文章 2025-02-13 17:09
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發(fā)布了文章 2025-02-13 17:07
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發(fā)布了文章 2025-02-12 11:54
溫度沖擊和溫度循環(huán):哪種溫度變化對材料的影響更大?
試驗(yàn)原理與現(xiàn)象溫度沖擊試驗(yàn)的核心原理在于物體的膨脹與收縮特性。當(dāng)物體暴露于高溫環(huán)境時,其內(nèi)部原子或分子間距增大,導(dǎo)致物體體積膨脹;而當(dāng)溫度驟降時,物體又會迅速收縮。這種快速的膨脹與收縮過程,會使產(chǎn)品內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力集中,從而引發(fā)開裂、破裂等現(xiàn)象。例如,電線在冬季寒冷環(huán)境下收縮,在夏季高溫下膨脹,長期經(jīng)歷這種溫度變化,電線的絕緣層和導(dǎo)體部分都可能出現(xiàn)損傷。而溫度循 -
發(fā)布了文章 2025-02-11 22:27
聚焦離子束技術(shù):納米的精準(zhǔn)操控與廣闊應(yīng)用
納米的精準(zhǔn)尺度聚焦離子束技術(shù)的核心機(jī)制在于利用高能離子源產(chǎn)生離子束,并借助電磁透鏡系統(tǒng),將離子束精準(zhǔn)聚焦至微米級乃至納米級的極小區(qū)域。當(dāng)離子束與樣品表面相互作用時,其能量傳遞與物質(zhì)相互作用的特性被巧妙利用,從而實(shí)現(xiàn)了對樣品的原子級別操控。在刻蝕方面,高能離子束如同一把無形的“刻刀”,對樣品表面進(jìn)行轟擊,將表面材料逐層剝離,實(shí)現(xiàn)微觀結(jié)構(gòu)的精細(xì)加工。這種刻蝕過程917瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-02-11 22:25