CGH40006P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號： CGH40006P

--- 產品參數 ---

頻率高達 6 GHz 的操作
增益 2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益
增益 6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益
PIN PIN = 32 dBm 時典型值為 8 W
電壓 28 V 操作

--- 產品詳情 ---

Cree 的 CGH40006P 是無與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。該CGH40006P，運行來自 28 伏電源軌，提供通用寬帶解決方案到各種射頻和微波應用。 GaN HEMT提供高效率、高增益和寬帶寬能力使 CGH40006P 成為線性和壓縮放大器的理想選擇電路。該晶體管采用焊接式藥丸封裝。

特征
高達 6 GHz 的操作
2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益
6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益
PIN = 32 dBm 時典型值為 8 W
28 V 操作

應用
2 路私人收音機
寬帶放大器
蜂窩基礎設施
測試儀器
適用于 OFDM 的 A、AB 類放大器，
W-CDMA、EDGE、CDMA 波形

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