型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN26C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此新產品非常適合用于2.6GHz LTE設計要求，因為它提供了高增益、長期可靠性和易用性。
型號規格
廠家 Sumitomo Electric Eudyna
型號 SGN26C320I2D
名稱 用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
產地 日本
封裝 SMT
型號參數
高壓操作：VDS=50V
高功率：55.0dBm（典型值）@Psat
高效率：60%（典型值）@Psat
功率增益：16.0dB（典型值）@f=2.6GHz
經驗證的可靠性
僅適用于Doherty放大器的峰值級
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