SGK5867-100C C波段內(nèi)部匹配 GaN HEMT

C波段 GaN HEMT

型號： SGK5867-100C

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 SGK5867-100C
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
產(chǎn)地日本
封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的ES/SG5867-100C是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配標準通信頻帶，在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGK5867-100C
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
產(chǎn)地日本
封裝 SMT

型號參數(shù)
高輸出功率：P5dB=50.5dBm（典型）
高增益；GL=14.5dB（典型值）
PAE高；ηadd=45%（典型值）
寬帶；5.85至6.75GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω
密封包裝

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