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FHX35LGT/002 超低噪聲 HEMT

型號: FHX35LGT/002

--- 產品參數 ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 FHX35LGT/002
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產品詳情 ---

FHX35LGT/002

型號簡介
Sumitomo的FHX35LG是一種高電子遷移率晶體管(HEMT),用于2-18GHz的通用低噪聲高增益放大器頻率范圍。該器件被封裝成成本有效、低寄生、低功耗的器件,用于大容量電信、DBS、TVRO、VSAT或其他低噪聲應用程序。Eudyna嚴格的質量保證計劃確保可靠性和一致的性能。


型號規格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    FHX35LGT/002 
名稱                    砷化鎵HEMT
產地                    日本
封裝                    SMT


型號參數
低噪聲系數:1.2B(典型值)@f=12GHz
高相關增益:10.0dB(典型值)@f=12GHz
Lg≤0.25μm,Wg=280μm
實現高可靠性的金門金屬化
經濟高效的陶瓷微帶(SMT)封裝
可提供磁帶和卷軸包裝


相關型號
ELM1414-30F
ELM7785-60F
ELM7785-7PST
ELM7785-7PS
ES/SGM6801V1M
F658-6472-60A
F658-7785-30A
FHC30LGT
FHC30LG
FHX35LG/002 
FLM1415-8F
FHX35LGT/002 
FLM5964-35F
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