型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN2933-600D-R提供高功率、高S波段覆蓋2.9至3.3GHz的效率和更大的一致性50V工作和高達脈沖條件的雷達應用300μsec的脈沖寬度和高達10%的占空比。
型號規格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGN2933-600D-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產地 日本
封裝 M1B
型號參數
高壓操作：VDS=50V
高功率：700W（典型值）@引腳=31.6W（45dBm）
高效率：50%（典型值）@引腳=31.6W（45dBm）
寬帶：2.9至3.3GHz
50歐姆配對
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