SGC9395-130B-R X波段內部匹配 GaN HEMT

GaN HEMT X波段

型號： SGC9395-130B-R

--- 產品參數 ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 SGC9395-130B-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產地日本
封裝 IK

--- 產品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的SGC9395-130B-R是一種高功率GaN HEMT與X波段雷達波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統中。

型號規格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGC9395-130B-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產地日本
封裝 IK

型號參數
高輸出功率：Psat=52.0dBm（典型值）
高增益：Gp=10.0dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=39%（典型值）
頻帶：9.3至9.5GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝

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