SGNL015Z2K-RT1 DC–3.8GHz 高功率 GaN HEMT

GaAs HEMT

型號： SGNL015Z2K-RT1

--- 產品參數 ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 SGNL015Z2K-RT1
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產地日本
封裝 DFN

--- 產品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGNL015Z2K-R提供高功率，高效、易于匹配和DC更大的一致性3.8GHz雷達應用，50V操作。SGNL015Z2K-R為適用于寬帶應用。

型號規格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGNL015Z2K-RT1
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產地日本
封裝 DFN

型號參數
用于直流至3.8GHz的高功率GaN HEMT
高功率：17W@3.8GHz
高效率：56%@3.8GHz
DFN塑料包裝

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