型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT提供高效率、易于匹配，50V高功率放大器具有更高的一致性和更寬的帶寬操作，并為您提供更高的增益。此新產品非常適合3.4至4.2 GHz LTE設計要求，因為它提供了高增益、長期可靠性和易用性。該器件的目標應用是微電池的驅動階段和最終階段基站收發信臺。
型號規格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SG38K30S-DT
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產地 日本
封裝 DFN
型號參數
高壓操作：VDS=50V
高功率：Psat=45.5dBm（典型值）
高效：DE=60%（典型值）@Psat
高增益：Gp=15.8dB（典型值）@f=3.8GHz
經驗證的可靠性
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