F658-H130M1H 直流至3GHz高功率GaN HEMT

GaN HEMT 晶體管

型號： F658-H130M1H

--- 產品參數 ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 F658-H130M1H
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產地日本
封裝 DFN

--- 產品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT F658-H130M1H提供高功率、高效率、易于匹配直流至3GHz高功率的更大一致性50V操作的應用程序。

型號規格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 F658-H130M1H
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產地日本
封裝 DFN

型號參數
用于直流至3GHz的高功率GaN HEMT
高功率：150W@3GHz
高效率：57%@3GHz
CW可操作
易于匹配：輸入預匹配3GHz
小型無法蘭封裝

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