型號簡介
Sumitomo的SEDI的GaN HEMT提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。該設備的目標應用是低電流和寬帶高電壓應用。
型號規格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 F658-E070MK
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產地 日本
封裝 DFN
型號參數
高壓操作：VDS=50V
高功率：49.5dBm（典型值）@Psat
高效率：70%（典型值）@Psat
線性增益：21.0dB（典型值）@f=0.9GHz
經驗證的可靠性
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