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N溝道場效應管SPU02N60C3

型號： SPU02N60C3
品牌： Infineon(英飛凌)

--- 產品參數 ---

  • 類別 場效應管
  • 型號 SPU02N60C3
  • 封裝 IPAK
  • Vds-漏源極擊穿電 600V
  • Id-連續漏極電流 1.8A
  • Rds On-漏源導 3Ω@10V,1.1A
  • 閾值電壓 3.9V@80uA

--- 產品詳情 ---

制造商:      Infineon  

產品種類:   MOSFET 

RoHS:   YES       

技術:   Si     

安裝風格:   Through Hole 

封裝 / 箱體:     TO-251-3      

晶體管極性:      N-Channel    

通道數量:   1 Channel      

Vds-漏源極擊穿電壓:      600 V     

Id-連續漏極電流:     1.8 A      

Rds On-漏源導通電阻:    3 Ohms  

Vgs - 柵極-源極電壓:     - 20 V, + 20 V       

Vgs th-柵源極閾值電壓:  2.1 V      

Qg-柵極電荷:   9.5 nC    

最小工作溫度:   - 55 C    

最大工作溫度:   + 150 C  

Pd-功率耗散:    25 W      

通道模式:   Enhancement 

商標名:      CoolMOS       

封裝:   Tube       

商標:   Infineon Technologies  

配置:   Single     

下降時間:   12 ns      

高度:   6.22 mm 

長度:   6.73 mm 

產品類型:   MOSFET 

上升時間:   3 ns 

系列:   CoolMOS C3  

包裝數量：1500       

子類別:      MOSFETs       

晶體管類型:      1 N-Channel  

典型關閉延遲時間:   68 ns      

典型接通延遲時間:   6 ns 

寬度:   2.38 mm 

零件號別名:      SPU2N6C3XK SP000015064 SPU02N60C3BKMA1    

單位重量:   340 mg

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