2m1Da泛海微芯片單節(jié)內(nèi)置 MOSFET 可充電鋰電池的保護(hù)電路
2m1Da，內(nèi)置高精度電壓檢測電路和延遲電路以及內(nèi)置MOSFET，是用于單節(jié)鋰離子/鋰聚合物可再充電電池的保護(hù)IC。
本IC 適合于對1 節(jié)鋰離子/鋰聚合物可再充電電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)。
1. 特點(diǎn)
MX2201B 具備如下特點(diǎn)：
（1） 高精度電壓檢測電路
l 過充電檢測電壓 | 4.30V | 精度±50mV |
l 過充電釋放電壓 | 4.15V | 精度±70mV |
l 過放電檢測電壓 | 2.45V | 精度±100mV |
l 過放電釋放電壓 | 3.00V | 精度±100mV |
（2） 各延遲時(shí)間由內(nèi)部電路設(shè)置（不需外接電容）
l 過充電檢測延遲時(shí)間典型值 100ms
l 過放電檢測延遲時(shí)間典型值 100ms
l 放電過流檢測延遲時(shí)間典型值20ms
（3） 低耗電流
l 工作模式典型值 3.0μA ，最大值 6.0μA（VDD=3.5V）
l 過放電模式典型值 1.0μA ，最大值 1.5μA（VDD=2.0V）
（4） 允許向0V 電池充電。
（5） 導(dǎo)通內(nèi)阻常態(tài)48m?, 3.5A 過流保護(hù)
（6） 封裝：SOT23-5L
應(yīng)用
l 1 節(jié)鋰離子可再充電電池組
l 1 節(jié)鋰聚合物可再充電電池組
l 小風(fēng)扇、TWS充電倉、移動電源
1. 電氣特性
（VSS=0V，Ta＝25℃，除非特別說明）
項(xiàng)目 | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
輸入電壓 | ||||||
VDD-VSS 工作電壓 | VDSOP1 | - | 0 | - | 6 | V |
VDD-VM 工作電壓 | VDSOP2 | - | -6 | - | 6 | V |
耗電流 | ||||||
工作電流 | IDD | VDD=3.9V | 3.0 | 6.0 | uA | |
過放電時(shí)電流 | IPD | VDD=2.0V | 1.0 | 1.5 | uA | |
檢測電壓 | ||||||
過充電檢測電壓 | VCO | R1=100? | 4.250 | 4.300 | 4.350 | V |
過充電釋放電壓 | VCR | R1=100? | 4.080 | 4.150 | 4.220 | V |
過放電檢測電壓 | VDL | R1=100? | 2.350 | 2.450 | 2.550 | V |
過放電釋放電壓 | VDR | R1=100? | 2.900 | 3.000 | 3.100 | V |
放電過流保護(hù)電流1 | IIOV1 | VDD=3.5V | 3.0 | 3.5 | 5.0 | A |
放電過流保護(hù)電流2 | IIOV2 | VDD=3.5V | 5 | 7 | 9 | A |
負(fù)載短路保護(hù)電流 | IShort | VDD=3.5V | 8 | 10 | 13 | A |
充電電流檢測 | ICHA | VDD=3.5V | 2.8 | 3.5 | 5.5 | A |
延遲時(shí)間 | ||||||
過充電檢測延遲時(shí)間 | TOC | VDD=3.8V à 4.5V | 100 | ms | ||
過放電檢測延遲時(shí)間 | TOD | VDD=3.2V à 2.2V | 100 | ms | ||
放電過流1 檢測延遲時(shí)間 | TDIP1 | VDD=3.0V | 20 | ms | ||
放電過流2 檢測延遲時(shí)間 | TDIP2 | VDD=3.0V | 2.5 | ms | ||
負(fù)載短路檢測延遲時(shí)間 | TSIP | VDD=3.6V | 150 | μs | ||
內(nèi)置MOSFET 參數(shù) | ||||||
內(nèi)置MOSFET 導(dǎo)通內(nèi)阻 | Rds(on) | VDD=3.6V, IVM=1.0A, | 40 | 48 | 58 | m? |
過溫保護(hù)參數(shù) | ||||||
過溫保護(hù)檢測溫度 | TSHD | 150 | ℃ | |||
過溫保護(hù)釋放溫度 | TSHR | 120 | ℃ | |||
向0V 電池充電 | ||||||
允許向0V 電池充電的電壓閥值 |
V0CH | 允許允許向0V 電池充電功能 |
- |
- |
V | |
說明：*1、此溫度范圍內(nèi)的參數(shù)是設(shè)計(jì)保證值，而非高、低溫實(shí)測篩選。
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