HUSTEC華科智源
HUSTEC-1600A-MT
半導體器件參數分析儀
一：半導體器件參數分析儀主要特點
華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車 ，風力發電，變頻器，焊機行業的IGBT來料選型和失效分析，設備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態參數測試；
半導體器件參數分析儀測試參數：
ICES 集電極-發射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發射極飽和電壓
ICON 通態電極電流
VGEON 通態柵極電壓
VF 二極管正向導通壓降
整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。
二：華科智源半導體器件參數分析儀應用范圍
A：IGBT單管及模塊，
B：大功率場效應管（Mosfet）
C：大功率二極管
D：標準低阻值電阻
E：軌道交通，風力發電，新能源汽車，變頻器，焊機等行業篩選以及在線故障檢測
三、華科智源半導體器件參數分析儀特征：
A：測量多種IGBT、MOS管
B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣；
C：脈沖寬度 50uS~300uS
D：Vce測量精度2mV
E：Vce測量范圍>10V
F：電腦圖形顯示界面
G：智能保護被測量器件
H：上位機攜帶數據庫功能
I：MOS IGBT內部二極管壓降
J : 一次測試IGBT全部靜態參數
K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
L:可以進行不同曲線的對比，觀測同一批次產品的曲線狀態，或者不同廠家同一規格參數的曲線對比；
序號 | 測試項目 | 描述 | 測量范圍 | 分辨率 | 精度 |
1 | VF | 二極管正向導通壓降 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
2 | IF | 二極管正向導通電流 | 0~1200A | ≤200A時,0.1A | ≤200A時,±1%±0.1A |
3 | ＞200A時,1A | ＞200A時,±1% | |||
4 | Vces | 集電極-發射極電壓 | 0~5000V | 1V | ±1%,±1V |
5 | Ic | 通態集電極電流 | 0~1200A | ≤200A時,0.1A | ≤200A時,±1%±0.1A |
6 | ＞200A時,1A | ＞200A時,±1% | |||
7 | Ices | 集電極-發射極漏電流 | 0~50mA | 1nA | ±1%,±10μA |
8 | Vgeth | 柵極-發射極閾值電壓 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
9 | Vcesat | 集電極-發射極飽和電壓 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
10 | Igesf | 正向柵極漏電流 | 0~10uA | 1nA | ±2%,±1nA |
11 | Igesr | 反向柵極漏電流 | |||
12 | Vges | 柵極發射極電壓 | 0~40V | 1mV | ±1%,±1mV |
測試參數：
ICES 集電極-發射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發射極飽和電壓
ICON 通態電極電流
VGEON 通態柵極電壓
VF 二極管正向導通壓降
IGBT靜態參數測試儀整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用
1) 物理規格
設備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm；
質量：30kg
2) 環境要求
海拔高度：海拔不超過 1000m；
儲存環境：-20℃～50℃；
工作環境：15℃～40℃。
相對濕度：20%RH ~ 85%RH ；
大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa。
防護：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；
3) 水電氣 用電要求：AC220V，±10%；
電網頻率：50Hz±1Hz
