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湖南霄擎陶瓷有限公司

我致力于成為半導(dǎo)體陶瓷結(jié)構(gòu)件領(lǐng)軍者。我們用匠心打磨每一微米,提供高性能氧化鋁/氮化鋁解決方案,助力國(guó)產(chǎn)芯裝備騰飛。

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陶瓷手臂

型號(hào): 晶圓搬運(yùn)陶瓷手臂

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品定義與核心功能

陶瓷手臂是一種采用高性能先進(jìn)陶瓷材料(如高純氧化鋁、氮化硅、碳化硅等)制成的精密結(jié)構(gòu)件。它通過(guò)伯努利原理(非接觸式懸浮搬運(yùn))或真空吸附原理,實(shí)現(xiàn)對(duì)硅晶圓的抓取、提升、平移和放置。

它的核心使命是在真空、高溫、強(qiáng)腐蝕性的極端工藝環(huán)境中,以納米級(jí)的精度完成晶圓傳輸,同時(shí)保證“零污染”。


?? 產(chǎn)品核心特征(賣(mài)點(diǎn))

一款合格的半導(dǎo)體級(jí)陶瓷手臂通常具備以下物理和化學(xué)特性:

  • 極致潔凈(Zero Particle):
    • 無(wú)金屬離子析出: 陶瓷材料化學(xué)性質(zhì)極度惰性,不會(huì)像金屬那樣釋放離子污染晶圓表面。
    • 超低顆粒釋放: 表面經(jīng)過(guò)精密研磨拋光(光潔度可達(dá) Ra≤0.05μm),摩擦系數(shù)極低,即使在高速運(yùn)動(dòng)中也不會(huì)因磨損產(chǎn)生微顆粒。
  • 卓越的物理穩(wěn)定性:
    • 耐高溫: 可在 -50℃ 至 1600℃ 的寬溫域內(nèi)保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,熱膨脹系數(shù)極低,高溫下不變形。
    • 高硬度/耐磨: 硬度僅次于金剛石,長(zhǎng)期使用不易劃傷,壽命是金屬件的數(shù)倍。
  • 優(yōu)異的電氣性能:
    • 防靜電(ESD): 可通過(guò)材料改性(如摻雜)將表面電阻控制在 106?109Ω106?109Ω 的理想范圍,有效消除靜電吸附,保護(hù)晶圓電路。
    • 耐等離子體腐蝕: 在刻蝕工藝中,能抵抗高活性等離子體的轟擊。

主要材質(zhì)類(lèi)型對(duì)比

 

材質(zhì)類(lèi)型

外觀特征

性能特點(diǎn)

適用場(chǎng)景

氧化鋁 (Al?O?)白色/象牙白性?xún)r(jià)比高,絕緣性好,加工技術(shù)成熟,剛性適中。大氣環(huán)境搬運(yùn)、通用型晶圓傳輸、預(yù)對(duì)準(zhǔn)器。
氮化硅 (Si?N?)黑色/深灰韌性極佳,抗彎強(qiáng)度高,耐磨性最好,自潤(rùn)滑。高端真空搬運(yùn),高速傳輸,對(duì)斷裂風(fēng)險(xiǎn)敏感的場(chǎng)合。
碳化硅 (SiC)黑色導(dǎo)熱快,硬度最高,熱穩(wěn)定性極好,重量輕。高溫工藝腔室、需要快速散熱的特殊制程。
復(fù)合陶瓷灰色/定制結(jié)合了多種材料優(yōu)勢(shì),如高強(qiáng)度與特定導(dǎo)電性。客戶(hù)定制化特殊需求。

制造工藝與技術(shù)壁壘

這不僅僅是一塊“陶瓷片”,而是集成了復(fù)雜氣路的精密器件,制造難度極高:

  1. 復(fù)雜氣路設(shè)計(jì): 手臂內(nèi)部通常有極其復(fù)雜的微孔和氣槽(通過(guò)內(nèi)模型芯共成型或精密加工實(shí)現(xiàn)),用于通入氮?dú)饣虺檎婵眨纬煞€(wěn)定的負(fù)壓層流,托起晶圓。
  2. 精密成型與燒結(jié): 需要經(jīng)過(guò)冷等靜壓成型、高溫?zé)Y(jié)(1600℃以上)等步驟,確保材料致密度。
  3. 超精密加工: 由于陶瓷極硬且脆,后續(xù)的CNC加工需要使用金剛石刀具,加工精度需控制在 ±0.001mm 甚至更高,以確保晶圓在傳輸過(guò)程中的平整度。

專(zhuān)為12英寸及以下晶圓制造設(shè)計(jì)的高可靠性末端執(zhí)行器。采用高純度 氧化鋁/氮化硅 陶瓷材料,通過(guò)伯努利懸浮技術(shù)實(shí)現(xiàn)晶圓的非接觸式搬運(yùn)。

  • 核心優(yōu)勢(shì): 耐高溫(最高1600℃)、耐強(qiáng)酸堿腐蝕、抗等離子體侵蝕。
  • 潔凈保障: 超低顆粒釋放(<5個(gè)/次),無(wú)金屬離子污染,滿(mǎn)足ISO Class 1級(jí)潔凈室標(biāo)準(zhǔn)。
  • 精密控制: 內(nèi)置高精度氣路系統(tǒng),重復(fù)定位精度達(dá) ±0.005mm,有效防止晶圓破裂與劃傷。
  • 應(yīng)用場(chǎng)景: 適用于刻蝕、薄膜沉積、離子注入等半導(dǎo)體前道真空工藝設(shè)備。

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