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深圳市泰凌微電子有限公司

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中科君芯JFG8N30G 30V N溝道增強型功率驅動器

型號: JFG8N30G

--- 產品參數 ---

  • Device VDS = 30V, ID = 8A
  • RDS(ON) VGS = 10V, ID = 8A
  • RDS(ON) VGS = 4.5V, ID = 6A
  • Power TA = 70℃

--- 產品詳情 ---

中科君芯JFG8N30G 30V N溝道增強型功率驅動器是種特定的功率場效應晶體管(MOSFET)主要應用電池管理系統和電源,MOSFET由于其低導通電阻、大電流能力和邏輯電平驅動的特性,特別適用于需要高效、大電流驅動的電路,如汽車電子、工業控制等領域?。其關鍵參數和特性如下:

功能特性:

  1. ? 設備額定電壓VDS:=30V,連續工作時漏極電流上限 ID = 8A
  2. ? 導通電阻=15mΩ (typ.) 柵源電壓= 10V, 漏極電流 = 8A
  3. 導通電阻=25mΩ (typ.) 柵源電壓= 4.5V, 漏極電流 = 6A
  4. ? 專有高密度溝槽技術
  5. 符合RoHS和無鹵素 (不含鹵素或鹵素含量極低的材料或產品)
  6. 封裝: SOP-8L

絕對最大額定值 :

  1. ?VDS(Drain-Source Voltage)?:30V
  2. ?VGS(Gate-Source Voltage)?:±20V
  3. ?ID(Continuous Drain Current)?:Tc=25°對應最大漏極電流上限8.9A,Tc=70°對應漏極電流上限最大值7.1A
  4. ?IDM(Pulsed Drain Current):64A
  5. PD(Total Power Dissipation)?:TC =25℃ 對應2.15W,TA = 70℃對應0.86W
  6. EAS單脈沖雪崩能量:8mJ
  7. RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)熱阻:58°C\W
  8. RθJL:結到殼的熱阻:20°C\W
  9. ?TJ?\TSTG?:-55 to +150°C

(除非另有說明,TC=25℃)

       

————其他詳細參數請聯系深圳市泰凌微電子有限公司團隊————————————

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